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公开(公告)号：CN1668776A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816304.7
申请日：2003-07-18
Applicant: 工程吸气公司 , 株式会社丰岛制作所
Inventor： 依田孝次 , 田崎雄三
IPC: C23C16/18 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/409
Abstract: 在使用液源CVD法的PZT薄膜制备中，用四[异丁酰基新戊酰基甲烷]锆作为锆前体，能够在较宽的基底温度范围内获得恒定组成比例的膜，并且不必在膜制备后再热处理。因此本发明提供了具有稳定质量的低成本PZT薄膜。
