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公开(公告)号：CN114918412A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210619381.6
申请日：2022-06-02
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种硅包覆钨复合粉及其制备方法。本发明的硅包覆钨复合粉以钨粉为核心颗粒，在核心颗粒的表面均匀包覆硅粉包覆层。本发明以钨粉、硅粉为原料，经混合、真空脱气、高温烧结、快速冷却，然后经气破制备了分散性较好、表面均匀包覆粗颗粒硅的硅钨复合粉。本发明通过对硅粉进行球磨破碎，增加烧结过程中的融化速率，提高包覆性能；真空脱气和烧结可确保在硅与氧发生反应之前脱除粉末中的氧；使硅粉以快速融化，从而包覆钨粉，制备分散性较好的复合粉；最终制备出粗颗粒硅包覆钨复合粉。采用本发明方法制备得到的硅包覆钨复合粉可应用于制备钨均匀分布的硅钨薄膜，广泛应用在硅钨靶材中。
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公开(公告)号：CN115508340B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202211221942.3
申请日：2022-10-08
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用电感耦合等离子体发射光谱仪检测钨酸钠中杂质的方法。为了解决现有的钨酸钠溶液中杂质含量检测方法存在的耗时长、耗费人力大、误差大、精度不高等缺点，本发明提供一种采用电感耦合等离子体发射法检测钨酸钠中杂质的方法，本发明在测试前先使用钨酸颗粒初步中和碱性的钨酸钠溶液，达到既不引入新的杂质，又能使得溶液呈现弱碱性，再用稀释和稀酸同时降低溶液PH，使得处理后的钨酸钠溶液符合电感耦合等离子发射光谱仪的检测进样要求，从而达到准确、稳定、快速、高效检测钨酸钠中杂质的目的。本发明的检测方法将检测时长从12h减少到1h，降低91.7％，方法简单，节约成本，易于推广。
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公开(公告)号：CN117405719B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311714474.8
申请日：2023-12-14
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种薄膜材料截面扫描电镜样品制取装置，涉及材料测试技术领域，包括连盖，所述摆位块的顶部设置有位于样品贴板一侧的压平夹位件。本发明通过设置压平夹位件，当固定连块相对第一固定架进行转动时，限位板与样品贴板形成一个直角，之后对导电胶、薄膜材料进行粘贴时，仅需将导电胶与薄膜材料的边缘与限位板对齐，如此便可对导电胶与薄膜材料的粘贴进行限位，通过螺丝刀拧动夹连丝杆可使压辊对粘贴后的薄膜材料进行按压，以此来对薄膜材料进行整平处理，随着夹位板的移动使得夹位板对已整平后的薄膜材料进行挤压，以此来增加薄膜材料截面的平整度以及与样品贴板、夹位板的平齐度，使得薄膜材料更适于扫描电镜观察。
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公开(公告)号：CN114951676B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210416378.4
申请日：2022-04-20
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种控制非金属元素含量的高纯钨粉的制备方法。为了有效降低高纯钨粉中非金属元素(C、H、O、N)的含量，本发明提供了一种能够控制非金属元素含量的高纯钨粉的制备方法。本发明以高纯APT为原料，经气破预处理后，采用分段煅烧工艺制备了高纯WO3，然后通过高温氢还原制备了高纯钨粉。采用本发明的高纯钨粉的制备方法，可以制备得到晶粒发育较完整、活性较低、C、O、N、H含量较低的高纯钨粉，能够更好的满足半导体用高纯溅射靶材的需求，在半导体集成电路或太阳能光伏溅射镀膜领域的应用市场前景非常广阔。
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公开(公告)号：CN118026688B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410433689.0
申请日：2024-04-11
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域，具体涉及一种低氧含量低游离碳的CK32复式碳化物及其制备方法，取钨源、钛源、碳源湿磨得到混合料，将湿磨得到的混合料进行干燥，将干燥后的混合料压制成型，然后在氩气环境下煅烧，破碎后过筛，取筛下物，得到低氧含量低游离碳的CK32复式碳化物，所述低氧含量低游离碳的CK32复式碳化物的费氏粒度为2.2~2.7μm，总碳含量为11.2~11.4wt%，游离碳Cf含量≤0.03wt%，O含量≤0.04wt%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118026688A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410433689.0
申请日：2024-04-11
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域，具体涉及一种低氧含量低游离碳的CK32复式碳化物及其制备方法，取钨源、钛源、碳源湿磨得到混合料，将湿磨得到的混合料进行干燥，将干燥后的混合料压制成型，然后在氩气环境下煅烧，破碎后过筛，取筛下物，得到低氧含量低游离碳的CK32复式碳化物，所述低氧含量低游离碳的CK32复式碳化物的费氏粒度为2.2~2.7μm，总碳含量为11.2~11.4wt%，游离碳Cf含量≤0.03wt%，O含量≤0.04wt%。
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公开(公告)号：CN114535579B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210256005.5
申请日：2022-03-15
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高纯硅钨粉的制备方法，为了解决传统的硅钨粉制备过程中容易生成二氧化硅以及高纯硅钨粉中氧含量不能有效降低等问题，本发明提供了一种高纯硅钨粉的制备方法。本发明以高纯钨粉、高纯硅粉为原料，经混合、高温烧结后制备得到高纯硅钨粉团聚体，然后经气破处理，制备得到分散性较好的高纯硅钨粉。采用本发明的高纯硅钨粉的制备方法，可以制备得到分散性更好的高纯硅钨粉，能够更好的满足高纯度钨硅靶材对高纯硅钨粉原料的需求，在电子栅门材料以及电子薄膜领域的应用市场非常广阔。(56)对比文件侯周福;许剑光;唐果宁.无压烧结原位合成制备WSi_2/MoSi_2复合材料及其性能.机械工程材料.2010,(第02期),全文.
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公开(公告)号：CN114622096B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210254470.5
申请日：2022-03-15
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种磨削料钨钴分离方法。为了进一步改善传统磷酸浸出工艺存在的钨钴分离效率不高、钴浸出率有待进一步提高等问题，本发明通过对传统磷酸浸出工艺中磨削料的处理方式进行改进，通过先在磷酸浸出初期对磨削料进行双氧水活化预处理，并放入棕色瓶中进行反应，然后在后续工艺中通过增加冷却步骤，从而达到高效分离磨削料中的钨和钴，并使得钴的浸出率得到进一步提高，达到更好的经济效益和社会效益。采用本发明的方法，可以使酸浸渣中钴含量降低至0.2％以内，钴的回收率提高至98％以上；而且双氧水的用量可减少50％以上，反应时长可从24h减少至7h，具有更好的经济效益，有利于工业化的大规模推广和应用。
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公开(公告)号：CN114951676A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210416378.4
申请日：2022-04-20
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种控制非金属元素含量的高纯钨粉的制备方法。为了有效降低高纯钨粉中非金属元素(C、H、O、N)的含量，本发明提供了一种能够控制非金属元素含量的高纯钨粉的制备方法。本发明以高纯APT为原料，经气破预处理后，采用分段煅烧工艺制备了高纯WO3，然后通过高温氢还原制备了高纯钨粉。采用本发明的高纯钨粉的制备方法，可以制备得到晶粒发育较完整、活性较低、C、O、N、H含量较低的高纯钨粉，能够更好的满足半导体用高纯溅射靶材的需求，在半导体集成电路或太阳能光伏溅射镀膜领域的应用市场前景非常广阔。
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公开(公告)号：CN114622096A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210254470.5
申请日：2022-03-15
Applicant: 崇义章源钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种磨削料钨钴分离方法。为了进一步改善传统磷酸浸出工艺存在的钨钴分离效率不高、钴浸出率有待进一步提高等问题，本发明通过对传统磷酸浸出工艺中磨削料的处理方式进行改进，通过先在磷酸浸出初期对磨削料进行双氧水活化预处理，并放入棕色瓶中进行反应，然后在后续工艺中通过增加冷却步骤，从而达到高效分离磨削料中的钨和钴，并使得钴的浸出率得到进一步提高，达到更好的经济效益和社会效益。采用本发明的方法，可以使酸浸渣中钴含量降低至0.2％以内，钴的回收率提高至98％以上；而且双氧水的用量可减少50％以上，反应时长可从24h减少至7h，具有更好的经济效益，有利于工业化的大规模推广和应用。
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