公开(公告)号：CN1127121C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN98801111.5

申请日：1998-08-04

Applicant: 岸本产业株式会社 ,  大塚化学株式会社

Inventor： 矢田隆司 ,  肥沼丰 ,  福村和则 ,  福村嘉仁

IPC: H01L21/302 ,  C11D3/06 ,  C11D7/16 ,  C23C22/07

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C11D3/3784 ,  C11D7/16 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3272 ,  C11D11/0023 ,  C11D11/0047 ,  G02F2001/133302 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明的清洁剂包含作为活性成分的由正磷酸和脲反应产生的多磷酸-脲缩合物或磷酸-脲聚合物。这种清洁剂用于半导体器件生产过程或液晶器件生产过程中至少一步中的金属表面和/或玻璃表面的清洁。根据本发明，可以在高的环境和工作安全性条件下，有效地清洁金属(包括半金属)和玻璃表面的蚀刻残余物及杂质，而且不会引起金属腐蚀的问题。

公开(公告)号：CN1236482A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN98801111.5

申请日：1998-08-04

Applicant: 岸本产业株式会社 ,  大塚化学株式会社

Inventor： 矢田隆司 ,  肥沼丰 ,  福村和则 ,  福村嘉仁

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C11D3/3784 ,  C11D7/16 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3272 ,  C11D11/0023 ,  C11D11/0047 ,  G02F2001/133302 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明的清洁剂包含作为活性成分的由正磷酸和脲反应产生的多磷酸－脲缩合物或磷酸－脲聚合物。这种清洁剂用于半导体器件生产过程或液晶器件生产过程中至少一步中的金属表面和/或玻璃表面的清洁。根据本发明,可以在高的环境和工作安全性条件下,有效地清洁金属(包括半金属)和玻璃表面的蚀刻残余物及杂质,而且不会引起金属腐蚀的问题。