公开(公告)号：CN117202545B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311106827.6

申请日：2023-08-30

Applicant: 山东航天电子技术研究所

Inventor： 姜文宇 ,  詹兴龙 ,  赵建伟 ,  王全文 ,  赵建树 ,  王岑

IPC: H05K5/00 ,  H05K1/14 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11 ,  H05K9/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了一种宇航模块电源的高密度封装结构，包括外壳和多层立体基板，多层立体基板设置在外壳内部，包括功率电路基板和多层控制电路基板，功率电路基板固定设置在外壳内部底端，多层控制电路基板固定在功率电路基板上，提升了外壳内空间利用率；将控制电路集成在多层控制电路基板上，减少了控制电路占用面积；将功率电路集成在功率电路基板上，解决了功率部分电路电流大，发热点集中问题；多层立体基板的上下层之间通过通孔和柔性排线互连，解决了漆包线走线难问题；电路设计上将控制电路和功率电路分板，既保证了控制电路的稳定性，使得控制信号可靠稳定传输，有效抑制了功率回路上的电磁干扰，防止因抗扰度不足引起各种故障。

公开(公告)号：CN117202545A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311106827.6

申请日：2023-08-30

Applicant: 山东航天电子技术研究所

Inventor： 姜文宇 ,  詹兴龙 ,  赵建伟 ,  王全文 ,  赵建树 ,  王岑

IPC: H05K5/00 ,  H05K1/14 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11 ,  H05K9/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了一种宇航模块电源的高密度封装结构及封装方法，包括外壳和多层立体基板，多层立体基板设置在外壳内部，包括功率电路基板和多层控制电路基板，功率电路基板固定设置在外壳内部底端，多层控制电路基板固定在功率电路基板上，提升了外壳内空间利用率；将控制电路集成在多层控制电路基板上，减少了控制电路占用面积；将功率电路集成在功率电路基板上，解决了功率部分电路电流大，发热点集中问题；多层立体基板的上下层之间通过通孔和柔性排线互连，解决了漆包线走线难问题；电路设计上将控制电路和功率电路分板，既保证了控制电路的稳定性，使得控制信号可靠稳定传输，有效抑制了功率回路上的电磁干扰，防止因抗扰度不足引起各种故障。

公开(公告)号：CN119650442A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411712317.8

申请日：2024-11-27

Applicant: 山东航天电子技术研究所

Inventor： 牛玉成 ,  耿兴华 ,  董志红 ,  王全文 ,  苏德志

IPC: H01L21/60 ,  B05D5/12

Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，公开了一种键合丝的表面绝缘涂覆方法，包括：第一步、在陶瓷外壳装片区形成一层金镀层；第二步，在集成电路裸芯片键合面形成一层Al镀层，并晶圆划片成独立的芯片；第三步，在陶瓷封装外壳粘片区域点涂环氧树脂，将芯片贴放在粘接位置，然后进行高温固化；第四步，采用键合丝，将裸芯片PAD与封装外壳键合指连接起来；第五步，采用小分子涂覆材料对器件内部所有键合丝进行整体绝缘涂覆；第六步，密封前的高温烘烤处理；第七步，在平行缝焊设备进行封盖，完成集成电路器件的封装。本发明的键合丝绝缘涂覆方法，在键合工序完成后，对键合丝进行整体或局部的涂覆处理，即形成均匀、致密的防护涂层。

公开(公告)号：CN117079944A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311087521.0

申请日：2023-08-28

Applicant: 山东航天电子技术研究所

Inventor： 刘善宗 ,  明旭东 ,  赵建伟 ,  王磊 ,  夏振翔 ,  詹兴龙 ,  赵建树 ,  李洋洋 ,  王长成 ,  王全文 ,  赵雷

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/24

Abstract: 本发明属于电子变压器研究领域，具体涉及一种基于扁铜线嵌套结构的绕组和高频电子变压器。包括初级线圈、次级线圈一和次级线圈二；所述初级线圈为扁铜线立绕成螺旋线圈，绕线方向可以是右螺旋或者左螺旋；次级线圈一和次级线圈二的截面都为立绕成螺旋线圈，绕线方向都与初级线圈保持一致；次级线圈一和次级线圈二使用的扁铜线宽度小于等于初级线圈的一半；次级线圈一的内径尺寸与初级线圈的内径相同；次级线圈二的外径尺寸与初级线圈的外径相同；初级线圈与次级线圈一、次级线圈二交叉排列。提高变压器绕线窗口利用率，使用了扁平线提高绕线窗口的利用率，绕组耦合程度高，漏感大大降低，变压器效率得到提高。

公开(公告)号：CN116844982A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202311007604.4

申请日：2023-08-11

Applicant: 山东航天电子技术研究所

Inventor： 牛玉成 ,  管培杰 ,  王全文 ,  程浩 ,  王洪琨 ,  林喜涛

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/52 ,  H01L21/78 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L23/06 ,  H01L23/15

Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种光MOS继电器的封装方法。包括：第一步、在陶瓷外壳装片区形成一层金镀层；第二步、在MOS管晶圆片背面焊接面形成一层Ti‑Ni‑Ag镀层，并晶圆划片成独立的芯片；第三步、在外壳焊接区点涂合金焊料，采用自动贴片机进行MOS芯片的拾取、贴装，然后放入真空共晶炉设备中，焊接后进行助焊剂清洗；第四步、发光二极管、光敏二极管采用导电胶分别粘接固定在小陶瓷基板和陶瓷外壳粘接区；第五步、引线键合；第六步、采用专用倒扣夹具实现小陶瓷基板的180°翻转、自动贴片；第七步，在平行缝焊设备内进行封盖，完成光MOS继电器的封装。本发明焊料选用铅铟银焊料，避免了器件使用环节的二次熔化问题。