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公开(公告)号：CN112596145A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011474320.2
申请日：2020-12-15
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及基于氯化亚汞晶体的偏振棱镜/偏振分光棱镜，偏振棱镜的材料为氯化亚汞Hg2Cl2晶体，包括单块氯化亚汞晶体棱镜或多块氯化亚汞晶体棱镜，多块氯化亚汞晶体棱镜为由多个单块氯化亚汞晶体棱镜通过空气隙、光胶或深化光胶方式形成的光线依次入射、两两之间以斜面相连接的堆叠结构；本发明采用正单轴晶Hg2Cl2晶体作为棱镜基质，实现了基于Hg2Cl2晶体的偏振棱镜和偏振分光棱镜，拓展了应用于可见到红外波段，特别是中远红外波段的棱镜基质材料范围。
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公开(公告)号：CN112596144A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011472527.6
申请日：2020-12-15
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及基于溴化亚汞晶体的偏振棱镜/偏振分光棱镜，偏振棱镜的材料为溴化亚汞Hg2Br2晶体，包括单块溴化亚汞晶体棱镜或多块溴化亚汞晶体棱镜，多块溴化亚汞晶体棱镜为由多个单块溴化亚汞晶体棱镜通过空气隙、光胶或深化光胶方式形成的光线依次入射、两两之间以斜面相连接的堆叠结构。本发明采用正单轴晶Hg2Br2晶体作为棱镜基质，实现了基于Hg2Br2晶体的偏振棱镜和偏振分光棱镜，拓展了应用于可见到红外波段，特别是中远红外波段的棱镜基质材料范围。
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公开(公告)号：CN112647134A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011372197.3
申请日：2020-11-30
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法，它包括将卤化亚汞单晶体置于多温区真空退火炉中，升温至150‑180℃进行退火处理90‑120h；退火处理后的卤化亚汞单晶体缓慢降至室温，退火后处理卤化亚汞晶体的X射线单晶摇摆曲线半峰宽明显减小，晶体结晶性得到很大提高，晶体缺陷得到一定程度的消除，并且通过退火后处理，遇光暗化卤化亚汞晶体的光学透过率得到恢复，晶体透过率明显提升。并且该方法对温度要求较低，具有简单方便、易操控的优点。采用该方法可获得结晶性、光学透过率高的卤化亚汞晶体，这对于卤化亚汞晶体声光器件的制备及应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112647134B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011372197.3
申请日：2020-11-30
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法，它包括将卤化亚汞单晶体置于多温区真空退火炉中，升温至150‑180℃进行退火处理90‑120h；退火处理后的卤化亚汞单晶体缓慢降至室温，退火后处理卤化亚汞晶体的X射线单晶摇摆曲线半峰宽明显减小，晶体结晶性得到很大提高，晶体缺陷得到一定程度的消除，并且通过退火后处理，遇光暗化卤化亚汞晶体的光学透过率得到恢复，晶体透过率明显提升。并且该方法对温度要求较低，具有简单方便、易操控的优点。采用该方法可获得结晶性、光学透过率高的卤化亚汞晶体，这对于卤化亚汞晶体声光器件的制备及应用具有重要意义。
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