公开(公告)号：CN109607498B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201811541642.7

申请日：2018-12-17

Applicant: 山东大学

Inventor： 张晓阳 ,  李慧亮 ,  黄柏标 ,  王泽岩 ,  秦晓燕 ,  郑昭科 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: C01B21/082 ,  B82Y40/00 ,  B01J27/24

Abstract: 本发明属于类石墨相氮化碳制备技术领域，尤其涉及一种g‑C3N4四方纳米管光催化剂及其制备方法。所述方法包括如下步骤：(1)将三聚氰胺或者双氰氨放入石英管上风口中，然后通入Ar/CCl4混合气，在设定温度下反应，在石英管下风口得到具有中空的四方纳米管结构的一维中间体，然后对得到的中间体进行水洗；(2)对步骤(1)中水洗后的一维中间体进行退火结晶，即得具有中空的四方纳米管结构的g‑C3N4。本发明制备的具有四方纳米管的g‑C3N4光催化剂能够大幅度提高g‑C3N4的光催化性能。

公开(公告)号：CN109573963A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811534963.4

申请日：2018-12-14

Applicant: 山东大学

Inventor： 王泽岩 ,  李慧亮 ,  黄柏标 ,  张晓阳 ,  秦晓燕 ,  郑昭科 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: C01B21/06 ,  H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/26

Abstract: 本申请属于能源技术领域，具体涉及一种自支撑、大容量的Nb4N5电容电极及其制备方法，现有技术中针对Nb4N5的合成通常将含有Nb的材料在氨气氛围中加热获得，制备得到的材料通常为粉体，需要粘合剂进行固定，且电容含量有待提高。本申请针对上述问题提供了一种Nb4N5体块材料的制备方法：将LiNbO3单晶放入石英管中，然后通入Ar/CCl4混合气以及氨气，在设定温度下反应相应时间后，水洗去除吸附杂质即可得到自支撑的Nb4N5电容电极。该制备方法可直接获得一种体块材料，无需粘合，且具有有益的电容性能。

公开(公告)号：CN109399588A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811559878.3

申请日：2018-12-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 黄柏标 ,  李慧亮 ,  王泽岩 ,  张晓阳 ,  秦晓燕 ,  郑昭科 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: C01B21/082 ,  C01B3/04 ,  C01B13/02

Abstract: 本发明属于能源技术领域，具体涉及一种衬底上构建的g-C3N4连续膜及制备方法。针对现有技术尚且无法有效的一步制备出连续的、能够不借助其他载体的连续薄膜材料的技术问题，本申请提供了一种具有自支撑性能的g-C3N4连续膜及制备方法，包括如下步骤：将原料粉体置于炉管上风口，衬底置于炉管下风口，通入Ar/CCl4气体加热反应一段时间，即可在衬底上获得g-C3N4连续薄膜。该制备方法可依据应用目的，通过调整气流量及原料剂量调整生成的薄膜厚度，制备过程简单，应用于生产具有重要意义。

公开(公告)号：CN109399588B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201811559878.3

申请日：2018-12-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 黄柏标 ,  李慧亮 ,  王泽岩 ,  张晓阳 ,  秦晓燕 ,  郑昭科 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: C01B21/082 ,  C01B3/04 ,  C01B13/02

Abstract: 本发明属于能源技术领域，具体涉及一种衬底上构建的g‑C3N4连续膜及制备方法。针对现有技术尚且无法有效的一步制备出连续的、能够不借助其他载体的连续薄膜材料的技术问题，本申请提供了一种具有自支撑性能的g‑C3N4连续膜及制备方法，包括如下步骤：将原料粉体置于炉管上风口，衬底置于炉管下风口，通入Ar/CCl4气体加热反应一段时间，即可在衬底上获得g‑C3N4连续薄膜。该制备方法可依据应用目的，通过调整气流量及原料剂量调整生成的薄膜厚度，制备过程简单，应用于生产具有重要意义。

公开(公告)号：CN108409332B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201810146388.4

申请日：2018-02-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 黄柏标 ,  李慧亮 ,  王泽岩 ,  张晓阳 ,  秦晓燕 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: C30B29/38

Abstract: 本发明公开了一种内延生长[153]取向Ta3N5自支撑薄膜的制备方法，包括如下步骤：将清洗后的[100]取向KTaO3单晶晶片放入炉内，在CCl4和NH3的混合气氛中煅烧设定时间后，制得自支撑的[153]取向Ta3N5薄膜。可以解决现有技术中Ta3N5无法制备为取向结构，以及无法获得自支撑薄膜，而抑制了钽基氮化物的应用的技术问题。

公开(公告)号：CN108525692B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201810146817.8

申请日：2018-02-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 王泽岩 ,  李慧亮 ,  黄柏标 ,  张晓阳 ,  秦晓燕 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: B01J27/24

Abstract: 本发明公开了一种具有高光催化效率和稳定性的光催化体系的制备方法，包括如下步骤：将钴盐粉体与光催化剂粉体、KCl粉体混合后，放入管式炉中，通入氨气，在设定温度下氮化设定时间后，将氮化产物清洗后得到目标产物。可以解决现有技术中光催化剂效率低以及稳定性差从而抑制了光催化的效率的技术问题。

公开(公告)号：CN108456924B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201810146344.1

申请日：2018-02-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 秦晓燕 ,  李慧亮 ,  王泽岩 ,  黄柏标 ,  张晓阳 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: C30B29/22 ,  C30B29/66 ,  C30B31/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法，可以解决现有技术中TaON无法制备为取向结构，以及无法获得自支撑薄膜的技术问题，而这些问题抑制了TaON的利用。其技术方案为：将钽酸锂单晶晶片在四氯化碳和氨气的混合气氛下进行煅烧后，即可获得内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜。本发明的制备方法和实验步骤简单，一步制备[100]取向的TaON自支撑薄膜，可大量制备，本发明制备的薄膜除了具有高的晶体取向结构外，还具有有序的纳米棒状结构。

公开(公告)号：CN109607499A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811542204.2

申请日：2018-12-17

Applicant: 山东大学

Inventor： 秦晓燕 ,  李慧亮 ,  黄柏标 ,  王泽岩 ,  张晓阳 ,  郑昭科 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: C01B21/082 ,  B01J27/24

Abstract: 本发明属于类石墨相氮化碳制备技术领域，尤其涉及一种边际氮空位g-C3N4光催化剂及其制备方法。所述方法包括如下步骤：(1)将三聚氰胺或者双氰氨放入石英管中，然后通入Ar/CCl4混合气，在设定温度下反应；(2)反应完成后，水洗去产物上的杂质，干燥，即可得到具有边际空位的g-C3N4催化剂。本发明不仅可通过调整反应条件调控缺陷浓度，进而调控材料光吸收与催化活性，调控手段简单易控；而且本发明能够制备出含有边际氮空位的g-C3N4光催化剂，大幅度提高了g-C3N4的光催化性能。

公开(公告)号：CN108525692A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810146817.8

申请日：2018-02-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 王泽岩 ,  李慧亮 ,  黄柏标 ,  张晓阳 ,  秦晓燕 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: B01J27/24

Abstract: 本发明公开了一种具有高光催化效率和稳定性的光催化体系的制备方法，包括如下步骤：将钴盐粉体与光催化剂粉体、KCl粉体混合后，放入管式炉中，通入氨气，在设定温度下氮化设定时间后，将氮化产物清洗后得到目标产物。可以解决现有技术中光催化剂效率低以及稳定性差从而抑制了光催化的效率的技术问题。

公开(公告)号：CN108409332A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810146388.4

申请日：2018-02-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 黄柏标 ,  李慧亮 ,  王泽岩 ,  张晓阳 ,  秦晓燕 ,  王朋 ,  刘媛媛 ,  张倩倩

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种内延生长[153]取向Ta3N5自支撑薄膜的制备方法，包括如下步骤：将清洗后的[100]取向KTaO3单晶晶片放入炉内，在CCl4和NH3的混合气氛中煅烧设定时间后，制得自支撑的[153]取向Ta3N5薄膜。可以解决现有技术中Ta3N5无法制备为取向结构，以及无法获得自支撑薄膜，而抑制了钽基氮化物的应用的技术问题。