公开(公告)号：CN100370057C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200510043960.7

申请日：2005-06-29

Applicant: 山东大学

Inventor： 韩圣浩 ,  吕茂水 ,  叶丽娜 ,  庞智勇 ,  修显武

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种射频磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜的方法，属于电子材料技术领域。首先将纯度均为99.99WT%的ZnO和ZrO2粉末按重量比99∶1-90∶10充分混合，压制成型后，在空气中1250℃-1350℃下烧制成ZnO:Zr靶材；然后将靶材和清洗过的基片送入射频磁控溅射仪，溅射制备ZnO:Zr透明导电薄膜，溅射仪基础真空为5.0×10-4Pa，溅射气体为氩气。本发明的方法设备简单便宜、易于大面积成膜；与溶胶-凝胶法相比，薄膜的光电性能明显改善，薄膜的电阻率达到2.07×10-3Ωcm，可见光透过率达到92%。

公开(公告)号：CN107607797B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201710847998.2

申请日：2017-09-19

Applicant: 山东大学

Inventor： 冯士伟 ,  杜清府 ,  张军蕊 ,  张昊 ,  赵坤 ,  赵曰昶 ,  李传洋 ,  王冰 ,  吕茂水 ,  陈耀

IPC: G01R29/10

Abstract: 本发明涉及一种基于无人机的天线性能测量方法及装置，其解决了现有技术通过转台和固定发射天线无法对大型天线和天线阵列进行测量的技术问题，其包括无人机、无人机飞控、频谱分析仪和计算机，无人机搭载信号源装置和定位模块，无人机飞控和无人机之间建立通信连接，定位模块与无人机飞控之间建立通信连接，信号源装置用于发送无线电信号，频谱分析仪与计算机连接，无人机飞控与计算机连接。本发明广泛用于测量天线性能。

公开(公告)号：CN100353464C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200610043274.4

申请日：2006-03-27

Applicant: 山东大学

Inventor： 韩圣浩 ,  修显武 ,  庞智勇 ,  吕茂水 ,  叶丽娜 ,  林亮

IPC: H01B5/14 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种掺钼的氧化锌透明导电薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。将纯度为99.99wt%的ZnO和MoO3粉末按重量比99∶1-95∶5充分混合，压制成型后，在空气中800℃-1300℃下烧结成掺钼的氧化锌靶材；然后将靶材和清洗过的的基片放入射频磁控溅射仪，溅射制备掺钼的氧化锌透明导电薄膜，溅射仪基础真空为5.0×10-4Pa，溅射气体为氩气。薄膜具有良好的光电性质，电阻率达到9.2×10-4Ωcm，可见光透过率达到90%；本发明的方法设备简单便宜、易于大面积成膜。

公开(公告)号：CN107607797A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710847998.2

申请日：2017-09-19

Applicant: 山东大学

Inventor： 冯士伟 ,  杜清府 ,  张军蕊 ,  张昊 ,  赵坤 ,  赵曰昶 ,  李传洋 ,  王冰 ,  吕茂水 ,  陈耀

IPC: G01R29/10

Abstract: 本发明涉及一种基于无人机的天线性能测量方法及装置，其解决了现有技术通过转台和固定发射天线无法对大型天线和天线阵列进行测量的技术问题，其包括无人机、无人机飞控、频谱分析仪和计算机，无人机搭载信号源装置和定位模块，无人机飞控和无人机之间建立通信连接，定位模块与无人机飞控之间建立通信连接，信号源装置用于发送无线电信号，频谱分析仪与计算机连接，无人机飞控与计算机连接。本发明广泛用于测量天线性能。

公开(公告)号：CN1822242A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610043274.4

申请日：2006-03-27

Applicant: 山东大学

Inventor： 韩圣浩 ,  修显武 ,  庞智勇 ,  吕茂水 ,  叶丽娜 ,  林亮

IPC: H01B5/14 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种ZnO:Mo透明导电薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。将纯度为99.99wt％的ZnO和MoO3粉末按重量比99∶1－95∶5充分混合，压制成型后，在空气中800℃－1300℃下烧结成ZnO:Mo靶材；然后将靶材和清洗过的基片放入射频磁控溅射仪，溅射制备ZnO:Mo透明导电薄膜，溅射仪基础真空为5.0×10－4Pa，溅射气体为氩气。薄膜具有良好的光电性质，电阻率达到9.2×10－4Ωcm，可见光透过率达到90％；本发明的方法设备简单便宜、易于大面积成膜。

公开(公告)号：CN1718841A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510043960.7

申请日：2005-06-29

Applicant: 山东大学

Inventor： 韩圣浩 ,  吕茂水 ,  叶丽娜 ,  庞智勇 ,  修显武

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法，属于电子材料技术领域。首先将纯度均为99.99WT％的ZnO和ZrO2粉末按重量比99∶1－90∶10充分混合，压制成型后，在空气中1250℃－1350℃下烧制成ZnO∶Zr靶材；然后将靶材和清洗过的基片送入射频磁控溅射仪，溅射制备ZnO∶Zr透明导电薄膜，溅射仪基础真空为5.0×10－4Pa，溅射气体为氩气。本发明的方法设备简单便宜、易于大面积成膜；与溶胶—凝胶法相比，薄膜的光电性能明显改善，薄膜的电阻率达到2.07×10－3Ωcm，可见光透过率达到92％。