公开(公告)号：CN101440475B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200810174132.0

申请日：2008-11-07

Applicant: 小岛压力加工工业株式会社

Inventor： 伊藤薰 ,  松井博世

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/505

Abstract: 本发明公开了基片支承装置及包含该基片支承装置的溅射设备。所述基片支承装置用于在基片上形成具有最大程度均匀和必要厚度的涂膜，该涂膜具有足够强的附着性和良好的膜品质。在所述包括这种基片支承装置的溅射设备中，用于支承有待通过溅射形成涂膜的基片的基片支承装置设置在真空室内从而与溅射靶相对。所述基片支承装置可以通过第一驱动机构绕第一转动轴转动，并可以通过第二驱动机构绕第二转动轴转动。

公开(公告)号：CN101440475A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810174132.0

申请日：2008-11-07

Applicant: 小岛压力加工工业株式会社

Inventor： 伊藤薰 ,  松井博世

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/505

Abstract: 本发明公开了基片支承装置及包含该基片支承装置的溅射设备。所述基片支承装置用于在基片上形成具有最大程度均匀和必要厚度的涂膜，该涂膜具有足够强的附着性和良好的膜品质。在所述包括这种基片支承装置的溅射设备中，用于支承有待通过溅射形成涂膜的基片的基片支承装置设置在真空室内从而与溅射靶相对。所述基片支承装置可以通过第一驱动机构绕第一转动轴转动，并可以通过第二驱动机构绕第二转动轴转动。