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公开(公告)号：CN110352266A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880012706.6
申请日：2018-06-21
Applicant: 小岛化学药品株式会社
IPC: C23C18/34 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H05K3/18
Abstract: 本发明的课题在于提供一种无电解镀镍液以及使用该无电解镀镍液的镀镍被膜的成膜方法，所述无电解镀镍液能够形成即使膜厚很薄也能确实地被覆铜材料表面的镀镍被膜。为了解决上述课题，为在铜材料的表面形成镀镍被膜而使用的无电解触击镀镍液的特征在于，包含以镍换算为0.002～1g/L的水溶性镍盐、1种以上的羧酸或其盐、和选自二甲胺硼烷、三甲胺硼烷、肼、肼衍生物中的1种以上的还原剂。
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公开(公告)号：CN110352266B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201880012706.6
申请日：2018-06-21
Applicant: 小岛化学药品株式会社
IPC: C23C18/34 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H05K3/18
Abstract: 本发明的课题在于提供一种无电解镀镍液以及使用该无电解镀镍液的镀镍被膜的成膜方法，所述无电解镀镍液能够形成即使膜厚很薄也能确实地被覆铜材料表面的镀镍被膜。为了解决上述课题，为在铜材料的表面形成镀镍被膜而使用的无电解触击镀镍液的特征在于，包含以镍换算为0.002～1g/L的水溶性镍盐、1种以上的羧酸或其盐、和选自二甲胺硼烷、三甲胺硼烷、肼、肼衍生物中的1种以上的还原剂。
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公开(公告)号：CN110325665B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201880012615.2
申请日：2018-06-21
Applicant: 小岛化学药品株式会社
IPC: C23C18/52 , C23C18/34 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H05K3/18
Abstract: 本发明的目的在于提供一种无电解镀敷工艺，在铜材料的表面依次形成镀镍被膜和镀金被膜时能减少镀镍被膜的膜厚，且能够得到具有优异的封装特性的被膜。为了解决上述问题，提供一种无电解镀敷工艺，通过无电解镀敷法在铜材料的表面依次形成镀镍被膜和镀金被膜，该无电解镀敷工艺的特征在于，包括：通过无电解触击镀敷法在铜材料的表面形成镀镍被膜的工序、和通过还原型无电解镀敷法形成镀金被膜的工序。
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公开(公告)号：CN109563624A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780049965.1
申请日：2017-08-02
Applicant: 小岛化学药品株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种即使对于小型的单电极或L/S窄的配线，也不会发生钯的析出异常而可以仅在铜上选择性地形成镀钯金皮膜的无电解镀钯金工艺。为了解决上述课题，无电解镀钯金工艺的特征在于，具备：通过将所述表面设有铜的绝缘基材浸渍于含有选自硫代硫酸盐和硫醇构成的组中的一种以上的含硫化合物的含硫水溶液，进行铜表面电位调整处理的工序(S4)；对调整了所述铜的表面电位的绝缘基材进行无电解镀钯处理，在所述铜上形成镀钯皮膜的工序(S5)；对在所述铜上形成所述镀钯皮膜的绝缘基材进行无电解镀金处理，在所述镀钯皮膜上形成镀金皮膜的工序(S6)。
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公开(公告)号：CN114901867A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202180007857.4
申请日：2021-01-12
Applicant: 小岛化学药品株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种抑制制造成本的无电解镀敷工艺、以及通过该工艺得到的双层镀膜。为了实现该目的，采用一种无电解镀敷工艺，该无电解镀敷工艺通过无电解镀敷法在铜材料的表面依次成膜镀镍被膜和镀金被膜，所述无电解镀敷工艺具备：通过还原型无电解触击镀镍法而成膜含有硼的镀镍被膜的工序；和通过还原型无电解镀金法而成膜镀金被膜的工序。而且，本发明提及的双层镀膜是通过该工艺而形成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109563624B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201780049965.1
申请日：2017-08-02
Applicant: 小岛化学药品株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种即使对于小型的单电极或L/S窄的配线，也不会发生钯的析出异常而可以仅在铜上选择性地形成镀钯金皮膜的无电解镀钯金工艺。为了解决上述课题，无电解镀钯金工艺的特征在于，具备：通过将所述表面设有铜的绝缘基材浸渍于含有选自硫代硫酸盐和硫醇构成的组中的一种以上的含硫化合物的含硫水溶液，进行铜表面电位调整处理的工序(S4)；对调整了所述铜的表面电位的绝缘基材进行无电解镀钯处理，在所述铜上形成镀钯皮膜的工序(S5)；对在所述铜上形成所述镀钯皮膜的绝缘基材进行无电解镀金处理，在所述镀钯皮膜上形成镀金皮膜的工序(S6)。
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公开(公告)号：CN110325665A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880012615.2
申请日：2018-06-21
Applicant: 小岛化学药品株式会社
IPC: C23C18/52 , C23C18/34 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H05K3/18
Abstract: 本发明的目的在于提供一种无电解镀敷工艺，在铜材料的表面依次形成镀镍被膜和镀金被膜时能减少镀镍被膜的膜厚，且能够得到具有优异的封装特性的被膜。为了解决上述问题，提供一种无电解镀敷工艺，通过无电解镀敷法在铜材料的表面依次形成镀镍被膜和镀金被膜，该无电解镀敷工艺的特征在于，包括：通过无电解触击镀敷法在铜材料的表面形成镀镍被膜的工序、和通过还原型无电解镀敷法形成镀金被膜的工序。
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公开(公告)号：CN105745355B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201580001912.3
申请日：2015-08-21
Applicant: 小岛化学药品株式会社
IPC: C23C18/44
CPC classification number: C23C18/44 , C23C18/1637 , C23C18/1651 , C23C18/32
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制基底金属的腐蚀、能够实现良好的引线接合性且不包含有害物质的化学镀金液。为实现该目的，在被镀覆物表面上，作为以化学镀覆形成化学镀金膜的还原型化学镀金液采用包括水溶性金化合物、柠檬酸或柠檬酸盐、乙二胺四乙酸或乙二胺四乙酸盐、六亚甲基四胺、以及包括碳数为3以上的烷基和三个以上氨基的链状多胺的化学镀金液。
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公开(公告)号：CN105745355A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201580001912.3
申请日：2015-08-21
Applicant: 小岛化学药品株式会社
IPC: C23C18/44
CPC classification number: C23C18/44 , C23C18/1637 , C23C18/1651 , C23C18/32
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制基底金属的腐蚀、能够实现良好的引线接合性且不包含有害物质的化学镀金液。为实现该目的，在被镀覆物表面上，作为以化学镀覆形成化学镀金膜的还原型化学镀金液采用包括水溶性金化合物、柠檬酸或柠檬酸盐、乙二胺四乙酸或乙二胺四乙酸盐、六亚甲基四胺、以及包括碳数为3以上的烷基和三个以上氨基的链状多胺的化学镀金液。
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公开(公告)号：CN101448973A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780001386.6
申请日：2007-02-28
Applicant: 小岛化学药品株式会社
IPC: C23C18/44
CPC classification number: C23C18/42
Abstract: 本发明提供能够形成具有较小镀膜变化的纯钯镀膜的无电纯钯镀敷溶液。该无电纯钯镀敷溶液包括含有(a)0.001－0.5摩尔/升水溶性钯化合物、(b)0.005－10摩尔/升至少两种从由脂族羧酸及其水溶性盐所构成的组中选择的成员、(c)0.005－10摩尔/升磷酸和/或磷酸盐以及(d)0.005－10摩尔/升硫酸和/或硫酸盐的水溶液。
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