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公开(公告)号：CN101064500B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710107701.5
申请日：2007-04-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供了一种滤波器和双工器，该滤波器包括：压电薄膜谐振器，所述压电薄膜谐振器具有基板、由所述基板支承的下部电极、设在所述下部电极上的压电膜、以及设在所述压电膜上的上部电极。所述压电薄膜谐振器中的至少一个压电薄膜谐振器具有其中所述上部电极隔着所述压电膜与所述下部电极交叠的部分。上述部分的形状与其他压电薄膜谐振器的相应部分的形状不同，从而所述压电薄膜谐振器中的上述至少一个压电薄膜谐振器中的寄生成分在与所述其他压电薄膜谐振器中出现寄生成分的频率不同的频率处出现。
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公开(公告)号：CN100576734C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610137474.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供了压电薄膜谐振器及滤波器。该压电薄膜谐振器包括构建于基板上的下电极，在该下电极和基板之间限定了圆形穹状空腔；设置于下电极之上的压电膜，以及设置于压电膜上的上电极。隔膜区域是下电极和上电极隔着压电膜的交叠区域，空腔在所述基板上的投影区域包含了该隔膜区域。
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公开(公告)号：CN100557969C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710107742.4
申请日：2007-04-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供了一种压电薄膜谐振器和采用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括基板、设在所述基板上的下部电极、设在所述下部电极上的压电膜以及上部电极，该上部电极设在所述压电膜上，以便具有隔着所述压电膜与所述下部电极交叠的部分。所述压电膜在谐振部分中的外端比其中所述上部电极和所述下部隔着所述压电膜彼此交叠的相对区域的外端更靠内，并且所述谐振部分是其中所述上部电极和所述下部电极隔着所述压电膜彼此交叠的部分。
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公开(公告)号：CN101527551A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910117841.X
申请日：2009-03-06
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H9/02133 , H03H9/173
Abstract: 本发明公开了压电薄膜谐振器、滤波器和通信设备。一种压电薄膜谐振器包括基板、形成在基板上的下电极、形成在基板和下电极上的压电膜以及形成在压电膜上并且与下电极相对的上电极。上电极具有主体部份和连接到该主体部份的扩展部份，该主体部份与下电极以及被布置在基板和下电极之间的开孔相对，该扩展部份具有与该开孔和基板相对的部份。
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公开(公告)号：CN100474766C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410087742.9
申请日：2004-10-20
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/02133 , H03H9/132 , H03H9/564 , H03H9/568
Abstract: 本发明提供压电薄膜谐振器以及使用其的滤波器。压电薄膜谐振器包括：基板；设置在基板上的下电极；设置在下电极上的压电膜；以及设置在压电膜上的上电极，在所述基板中设置有一空腔，该空腔在所述上电极隔着所述压电膜与所述下电极相交叠的区域中位于所述下电极下方，所述区域和所述空腔的横截面具有椭圆形状，且满足1＜a/b＜1.9，其中a为该椭圆形的主轴，b为其副轴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101309074A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810096545.1
申请日：2008-05-16
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/0211 , H03H9/02133 , H03H9/132 , H03H9/173
Abstract: 本发明提供压电薄膜谐振器和滤波器。压电薄膜谐振器包括：在基板上形成的下部电极；在该基板和该下部电极上形成的压电膜；在该压电膜上形成的上部电极，该压电膜的一部分插在相互面对的该下部电极和该上部电极之间；以及附加膜，该附加膜形成在该基板上，在该下部电极的外周的至少一部分上，并且位于该下部电极和该上部电极相互面对的部分，该附加膜沿着该下部电极布置。
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公开(公告)号：CN101166020A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181952.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/205 , H03H3/00 , H03H3/0073 , H03H3/04 , H03H9/0211 , H03H9/02118 , H03H9/02133 , H03H9/02149 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/15 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/178 , H03H9/54 , H03H9/568 , H03H9/587 , H03H9/588 , H03H9/605 , H03H9/6483 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/0414 , H03H2003/0471 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49124 , Y10T29/49208 , Y10T29/49224
Abstract: 本发明提供了一种梯型滤波器。该梯型滤波器包括：串联谐振器，该串联谐振器具有第一层叠膜，在该第一层叠膜中，上部电极和下部电极隔着压电膜而彼此面对，并且在该第一层叠膜上设有第一膜；以及并联谐振器，该并联谐振器具有第二层叠膜，该第二层叠膜具有与所述第一层叠膜相似的结构，在该第二层叠膜上设有第二膜以及与所述第一膜相同的另一第一膜。
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公开(公告)号：CN1956324A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137474.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供了压电薄膜谐振器及滤波器。该压电薄膜谐振器包括构建于基板上的下电极，在该下电极和基板之间限定了圆形穹状空腔；设置于下电极之上的压电膜，以及设置于压电膜上的上电极。隔膜区域是下电极和上电极隔着压电膜的交叠区域，空腔在所述基板上的投影区域包含了该隔膜区域。
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公开(公告)号：CN1862959A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080180.4
申请日：2006-05-10
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 一种压电薄膜谐振器，包括：形成于衬底上的下电极，形成于所述下电极上的压电膜，以及形成于所述压电膜上的上电极。在所述的压电薄膜谐振器中，所述上电极具有比下电极更厚的膜厚。
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公开(公告)号：CN101552094B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810185049.3
申请日：2008-12-26
Abstract: 本发明涉及一种电子组件，该电子组件包括：多层陶瓷基底，所述多层陶瓷基底具有在其中形成的穿透电极，并且具有在其上表面上提供的无源元件；绝缘膜，所述绝缘膜被提供在所述多层陶瓷基底上，并且具有在所述穿透电极上方的开口；第一连接端子，所述第一连接端子被提供在所述绝缘膜上以覆盖所述开口，并且被电连接到所述穿透电极；以及第二连接端子，所述第二连接端子被提供在所述绝缘膜的区域上，所述区域不同于所述开口区域。其中，所述穿透电极的上表面被定位为相比所述多层陶瓷基底的所述上表面具有一个突起量，该穿透电极的突起量差不多等于所述绝缘膜的膜厚度，从而使所述第一连接端子的高度差不多等于所述第二连接端子的高度。
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