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公开(公告)号：CN101252086A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810080861.X
申请日：2008-02-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/3115 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上方形成第一绝缘膜；通过将杂质离子注入所述第一绝缘膜的预定深度，在所述第一绝缘膜中形成杂质层；以及在形成所述杂质层后，通过对所述第一绝缘膜进行退火，将所述杂质层改造为阻挡绝缘膜。
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