公开(公告)号：CN100355074C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN03825709.2

申请日：2003-04-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎康孝 ,  横田竜也 ,  大八木信孝

IPC: H01L27/105

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，首先形成钨插塞(24)，在其上形成钨氧化防止屏蔽金属膜(25)。然后，形成比钨氧化防止屏蔽金属膜(25)薄的SiON膜(27)，对SiON膜(27)进行氩气溅射蚀刻。结果，SiON膜(27)的表面形状变平缓，深槽消失。然后，在整个面上形成SiON膜(28)。由SiON膜(28)和SiON膜(27)构成没有空隙的钨氧化防止绝缘膜(29)。

公开(公告)号：CN1717806A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN03825709.2

申请日：2003-04-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎康孝 ,  横田竜也 ,  大八木信孝

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，首先形成钨插头(24)，在其上形成钨氧化防止屏蔽金属膜(25)。然后，形成比钨氧化防止屏蔽金属膜(25)薄的SiON膜(27)，对SiON膜(27)进行氩气溅射蚀刻。结果，SiON膜(27)的表面形状变平缓，深槽消失。然后，在整个面上形成SiON膜(28)。由SiON膜(28)和SiON膜(27)构成没有空隙的钨氧化防止绝缘膜(29)。