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公开(公告)号：CN101083460B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710105462.X
申请日：2007-05-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/605 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/02141 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供具有多个压电薄膜谐振器的滤波器。所述多个压电薄膜谐振器各自具有：基板、形成在所述基板上的下电极、形成在所述下电极上的压电膜、以及隔着所述压电膜与所述下电极彼此相对地设置在所述压电膜上的上电极。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第一谐振器：所述第一谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分比所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部更靠外。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第二谐振器：所述第二谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分与所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部基本一致，或者比所述区域的外侧曲部更靠内。
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公开(公告)号：CN100505531C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510117007.2
申请日：2005-10-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02149 , H03H9/02118 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428
Abstract: 压电薄膜谐振器及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。一种压电薄膜谐振器，其包括：基板；形成在该基板上的下电极；形成在该下电极和基板上的压电薄膜；以及形成在该压电薄膜上的上电极，该压电薄膜部分地插入在彼此相对的下电极和上电极之间。在这种压电薄膜谐振器中，插入在该上电极和下电极之间的压电薄膜的外部周边的至少一部分与由彼此相对的上电极和下电极形成的区域的外部周边相交叠。
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公开(公告)号：CN101083460A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710105462.X
申请日：2007-05-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/605 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/02141 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供具有多个压电薄膜谐振器的滤波器。所述多个压电薄膜谐振器各自具有：基板、形成在所述基板上的下电极、形成在所述下电极上的压电膜、以及隔着所述压电膜与所述下电极彼此相对地设置在所述压电膜上的上电极。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第一谐振器：所述第一谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分比所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部更靠外。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第二谐振器：所述第二谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分与所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部基本一致，或者比所述区域的外侧曲部更靠内。
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公开(公告)号：CN1921303A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610126546.7
申请日：2006-08-25
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/72 , H03H9/0571 , H03H9/0576 , H03H9/706 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供具有匹配电路的双工器。双工器包括：第一滤波器，其连接到公共端子；第二滤波器，其连接到所述公共端子；附加电感器，其连接在第一滤波器和第二滤波器中的至少一个与地之间；匹配用电感器，其连接在所述公共端子与地之间；以及电容器，其连接在所述公共端子与第一滤波器和第二滤波器中的至少一个之间。
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公开(公告)号：CN1805276A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610000593.7
申请日：2006-01-11
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H2003/021
Abstract: 压电薄膜谐振器以及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。压电薄膜谐振器包括形成在器件基板上的膜叠层，所述膜叠层包括下电极、设置在器件基板和下电极上的压电膜、以及设置在压电膜上的上电极。上电极和下电极具有从上电极隔着压电膜与下电极交叠处的隔膜延伸的电极引出部分，上电极和下电极的电极引出部分中的至少一个的宽度比该隔膜的宽度窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1540861A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410037514.0
申请日：2004-04-23
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0576 , H03H3/08 , H03H9/0038 , H03H9/6483 , H03H9/72 , H03H9/725
Abstract: 一种双工器，包括形成在一预定基板的相同表面上的梯型滤波器和多模滤波器。在该双工器中，梯型滤波器的第一梳状电极和多模滤波器的第二梳状电极具有膜厚相等的相同层结构。第一梳状电极和第二梳状电极由主要含铝的单层膜形成。第一梳状电极和第二梳状电极的膜厚h、梯型滤波器的频带的中心频率f1以及多模滤波器的频带的中心频率f2之间的关系表示为：300≤h×f1≤480 300≤h×f2≤430。
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公开(公告)号：CN1855711A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610078162.2
申请日：2006-04-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/04 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428 , H03H2003/0457
Abstract: 压电薄膜谐振器和具有其的滤波器。压电薄膜谐振器包括置于基板上的下电极、置于下电极上的压电薄膜，以及置于压电薄膜上的上电极。由其中上电极和下电极相互交叠以把压电薄膜夹在其间的区域来限定一隔膜区域，并且该隔膜区域具有椭圆形状，并且，下电极还被设置到其中未设有上电极的引出电极和下电极的引出电极的区域中的隔膜区域的外侧。
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公开(公告)号：CN1767380A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510117007.2
申请日：2005-10-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02149 , H03H9/02118 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428
Abstract: 压电薄膜谐振器及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。一种压电薄膜谐振器，其包括：基板；形成在该基板上的下电极；形成在该下电极和基板上的压电薄膜；以及形成在该压电薄膜上的上电极，该压电薄膜部分地插入在彼此相对的下电极和上电极之间。在这种压电薄膜谐振器中，插入在该上电极和下电极之间的压电薄膜的外部周边的至少一部分与由彼此相对的上电极和下电极形成的区域的外部周边相交叠。
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公开(公告)号：CN1705225A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510076095.6
申请日：2005-05-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0076 , H03H9/14541 , H03H9/6476 , H03H9/725
Abstract: 表面声波器件。一种表面声波器件，包括具有双层结构电极的至少一个交叉指型转换器，在该双层结构中层叠有上层膜和底层膜。其中，所述上层膜具有主要成分Al以及添加到该主要成分中的第一金属Ti。所述底层膜具有主要成分Ti。
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公开(公告)号：CN1497846A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101828.8
申请日：2003-10-17
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 一种多模表面声波滤波器器件包括：压电基板；至少一个输入IDT(交指型变换器)和至少一个输出IDT，二者形成在所述压电基板上；多个反射器，其形成在所述压电基板上，并被布置在所述输入IDT和所述输出IDT的外侧；输入端子，其向所述输入IDT提供输入信号；以及，输出端子，其从所述输出IDT接收输出信号。在这种多模表面声波滤波器中，所述输入端子和所述输出端子沿相同的方向延伸。
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