公开(公告)号：CN1854886A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610076560.0

申请日：2004-03-25

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 早川利郎 ,  松本研司 ,  森本美范 ,  齐藤贤一

IPC: G03B27/00 ,  G21K1/02

CPC classification number: G21K1/02

Abstract: 本发明提供一种曝光装置。在该曝光装置中，把GaN系列蓝色半导体激光器用作光源，其特征在于：构成为在把最接近所述蓝色半导体激光器的活性层的发光面的耦合透镜的孔径数设为NA，把来自所述发光面的光束扩散角度设为α时，满足NA·tan(α/2)≤2.0。

公开(公告)号：CN100338529C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200410008889.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 早川利郎 ,  松本研司 ,  森本美范 ,  齐藤贤一

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: G21K1/02

Abstract: 本发明提供一种曝光装置。在该曝光装置中，对从激光二极管(LD)的发光点发出的光束通过狭缝进行限制。狭缝把光束限制在与LD的活性层正交的方向，并具有使设有狭缝的板可以在该正交方向移动的移动机构。由于光束和散射光的对物焦点不同，所以为了在发光点的附近，即，在接近光点为最小的点的部位限制光束，仅将散射光有效地遮断，在发光点的附近设置该狭缝板。

公开(公告)号：CN1534384A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410008889.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 早川利郎 ,  松本研司 ,  森本美范 ,  齐藤贤一

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: G21K1/02

Abstract: 本发明提供一种曝光装置。在该曝光装置中，对从激光二极管(LD)的发光点发出的光束通过狭缝进行限制。狭缝把光束限制在与LD的活性层正交的方向，并具有使设有狭缝的板可以在该正交方向移动的移动机构。由于光束和散射光的对物焦点不同，所以为了在发光点的附近，即，在接近光点为最小的点的部位限制光束，仅将散射光有效地遮断，在发光点的附近设置该狭缝板。