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公开(公告)号:CN109036475A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810587131.2
申请日:2018-06-06
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G11B5/706
CPC classification number: G11B5/70615 , G11B5/70 , G11B5/70621 , G11B5/70642
Abstract: 本发明提供一种电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。所述磁记录介质具有:非磁性支撑体;及非磁性支撑体上的磁性层,所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂,所述强磁性粉末含有选自由ε‑Fe2O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物,将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’,将在磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时,Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下,且Hc’满足下述式(II),所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场‑磁化曲线求出的。d2M/dH2式(I);119kA/m<Hc’<2380kA/m式(II);ε‑AaFe2‑aO3(1),式(1)中,A表示Fe以外的至少1种金属元素,a满足0<a<2。
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公开(公告)号:CN108117102A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201711224737.1
申请日:2017-11-29
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B22F1/0059 , B22F2999/00 , G11B5/70615 , G11B5/70642 , H01F1/06 , H01F1/065 , C01G49/06 , C01P2004/62 , C01P2006/12
Abstract: 本发明提供一种能够提高磁记录介质的电磁转换特性且在温度173K下测定的矫顽力Hc173K与在温度296K下测定的矫顽力Hc296K的比率Hc173K/Hc296K大于1.00且小于2.00的ε-氧化铁型铁磁性粉末、以及在磁性层包含上述ε-氧化铁型铁磁性粉末的磁记录介质。
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公开(公告)号:CN110322902A
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201910147242.6
申请日:2019-02-27
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor: 藤本贵士
Abstract: 本发明提供一种包含ε-型氧化铁类化合物的粒子作为磁性材料且反复滑动后的SNR的下降得到抑制的磁记录介质、ε-型氧化铁类化合物的粒子的制造方法及磁记录介质的制造方法。所述磁记录介质具有:非磁性支撑体;及磁性层,设置于非磁性支撑体的至少一个面上且包含ε-型氧化铁类化合物的粒子及粘结剂,在磁性层的表面上测定的接触角对于1-溴萘在30.0°以上且小于45.0°的范围,且对于水在80.0°以上且95.0°以下的范围。
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公开(公告)号:CN109031902A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810587154.3
申请日:2018-06-06
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor: 藤本贵士
IPC: G03G5/16
CPC classification number: H01F1/11 , G11B5/653 , G11B5/70642 , G03G5/16
Abstract: 本发明提供一种磁特性良好的磁性粉、磁特性良好的磁性粉的制造方法及信号衰减得到抑制的耐久性良好的磁记录介质。所述磁性粉包含选自ε‑Fe2O3及式(1)所表示的化合物中的ε型氧化铁系化合物,所述磁性粉为平均粒径8nm~25nm的磁性粉,将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的式(I)的值成为零的磁场设为Hc’,将在磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时,Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下,且Hc’满足下述式(II),所述磁化M是由在规定的条件下进行测定而得到的磁场‑磁化曲线求出的。式(1)中,A表示Fe以外的金属元素,a满足0<a<2。d2M/dH2式(I);119kA/m<Hc’<2380kA/m式(II);ε‑AaFe2‑aO3(1)。
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公开(公告)号:CN109036475B
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN201810587131.2
申请日:2018-06-06
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G11B5/706
Abstract: 本发明提供一种电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。所述磁记录介质具有:非磁性支撑体;及非磁性支撑体上的磁性层,所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂,所述强磁性粉末含有选自由ε‑Fe2O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物,将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’,将在磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时,Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下,且Hc’满足下述式(II),所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场‑磁化曲线求出的。d2M/dH2式(I);119kA/m<Hc’<2380kA/m式(II);ε‑AaFe2‑aO3(1),式(1)中,A表示Fe以外的至少1种金属元素,a满足0<a<2。
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公开(公告)号:CN110862107A
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:CN201910794367.8
申请日:2019-08-26
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor: 藤本贵士
Abstract: 本发明提供一种能够形成能够制造SNR良好且磁性层的膜强度优异的磁记录介质的磁性粉体的β-羟基氧化铁类化合物的粉体、β-羟基氧化铁类化合物溶胶、ε-氧化铁类化合物的粉体的制造方法及磁记录介质的制造方法。一种β-羟基氧化铁类化合物的粉体及其应用,所述β-羟基氧化铁类化合物的粉体为下述式(1)所表示的β-羟基氧化铁类化合物的粒子的集合体,上述β-羟基氧化铁类化合物的粒子的表面由表面修饰剂进行了修饰,分散于水中制成溶胶时的Zeta电位在pH10下为+5mV以上,式(1)中,A表示Fe以外的至少1种金属元素,a满足0≤a<1,β-AaFe1-aOOH (1)。
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