公开(公告)号：CN101653040B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200880010812.7

申请日：2008-03-13

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 藁科英永 ,  下津臣一 ,  园田慎一郎 ,  后藤千秋

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  G02F1/1339 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5246 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/1339 ,  G02F2001/133311 ,  G02F2202/28 ,  H01L51/5243 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明制造一种电子设备并将树脂基板和电子元件的劣化抑制在最小限度。并且电子设备的制造方法，是在分别层积有阻挡层(2、2’)的一对树脂基板(1、1’)间，夹设用于密封电子元件(3～5)的低熔点金属层(7、7’)，而使树脂基板(1、1’)上的阻挡层(2、2’)的彼此接合的电子设备的制造方法，其中，在阻挡层(2、2’)和低熔点金属层(7、7’)之间分别设置光吸收层(6、6’)，通过树脂基板(1’)和阻挡层(2’)，将波长350nm以上、600nm以下的激光照射到光吸收层(6)上，加热低熔点金属层(7、7’)并使之熔解，接合阻挡层(2、2’)。

公开(公告)号：CN101653040A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880010812.7

申请日：2008-03-13

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 藁科英永 ,  下津臣一 ,  园田慎一郎 ,  后藤千秋

IPC: H05B33/04 ,  G02F1/1339 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5246 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/1339 ,  G02F2001/133311 ,  G02F2202/28 ,  H01L51/5243 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明制造一种电子设备并将树脂基板和电子元件的劣化抑制在最小限度。并且电子设备的制造方法，是在分别层积有阻挡层(2、2’)的一对树脂基板(1、1’)间，夹设用于密封电子元件(3～5)的低熔点金属层(7、7’)，而使树脂基板(1、1’)上的阻挡层(2、2’)的彼此接合的电子设备的制造方法，其中，在阻挡层(2、2’)和低熔点金属层(7、7’)之间分别设置光吸收层(6、6’)，通过树脂基板(1’)和阻挡层(2’)，将波长350nm以上、600nm以下的激光照射到光吸收层(6)上，加热低熔点金属层(7、7’)并使之熔解，接合阻挡层(2、2’)。