公开(公告)号：CN101257002B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200810080697.2

申请日：2008-03-03

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 森田健介 ,  割石幸司 ,  浅野明 ,  村松诚

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3122 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

Abstract: 一种通过在基板上固化高分子化合物而得到的半导体器件用绝缘膜，所述的高分子化合物是通过聚合具有两个或更多个作为取代基的不饱和基团并且具有环状硅氧烷结构的笼型硅倍半氧烷化合物而得到的，其中所述笼型硅倍半氧烷化合物的结构不因固化而破裂，并且通过观察固化后的膜的拉曼光谱中约610cm-1处的峰，可以检测所述笼结构的破裂。

公开(公告)号：CN101257002A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810080697.2

申请日：2008-03-03

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 森田健介 ,  割石幸司 ,  浅野明 ,  村松诚

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3122 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

Abstract: 一种通过在基板上固化高分子化合物而得到的半导体器件用绝缘膜，所述的高分子化合物是通过聚合具有两个或更多个作为取代基的不饱和基团并且具有环状硅氧烷结构的笼型硅倍半氧烷化合物而得到的，其中所述笼型硅倍半氧烷化合物的结构不因固化而破裂，并且通过观察固化后的膜的拉曼光谱中约610cm－1处的峰，可以检测所述笼结构的破裂。