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公开(公告)号：CN113396212B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202080012318.5
申请日：2020-01-15
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种细胞培养装置，其具备：培养容器，容纳细胞悬浮液；及隔膜泵，用于从培养容器内部抽出细胞悬浮液，由隔膜泵的隔膜和包括隔膜的外缘部的远离隔膜顶点的一侧的面的平面F限定的空间的体积为1cm3以上且20cm3以下，关于隔膜中的各个点，当连接从隔膜顶点引出到平面F的垂线的垂足和各个点的直线与垂线所成角度设为各个点的角度A时，在角度A为0°到75°的区域中的任一点上，隔膜厚度H也在0.5mm以上且1.5mm以下的范围内，当将隔膜顶点上的隔膜厚度设为HT时，在角度A为0°到75°的区域中的任一点上，隔膜厚度H也满足1≤HT/H≤1.75的关系。本发明还提供一种使用了所述细胞培养装置的细胞培养方法及产物的制造方法。
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公开(公告)号：CN118541491A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280082932.8
申请日：2022-12-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够抑制由在培养液上表面产生的泡沫引起的排气过滤器的堵塞的、利用细胞培养的产物的制造方法、以及能够抑制由在培养液上表面产生的泡沫引起的排气过滤器的堵塞的细胞培养装置。根据本发明，提供一种产物的制造方法，该方法包括使用细胞培养装置培养细胞并从所述细胞生产产物的步骤，所述细胞培养装置包括：培养容器，容纳包含细胞的细胞悬浮液；及至少一个以上的泡沫捕获容器，连接于所述培养容器的外部并能够积聚泡沫。
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公开(公告)号：CN101846762A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010149299.9
申请日：2010-03-25
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H05K9/0096 , G03C1/85
Abstract: 本发明提供一种透明的电磁波屏蔽滤光器，其包含支持体、设在所述支持体上的导电层和设在所述导电层上的硬涂层，其中通过使含有卤化银和粘结剂并涂布在所述支持体上的乳剂层进行曝光和显影处理而形成所述导电层，通过在所述导电层上涂布使用溶剂的用于形成硬涂层的涂布液而形成所述硬涂层，和其中所述乳剂层含有在用于形成硬涂层的涂布液的溶剂中可溶解的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794645B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010105471.0
申请日：2010-01-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03C5/58
Abstract: 本申请公开了导电膜制备方法，其包括：曝光和显影具有厚95μm的长支持体和其上的含银盐乳剂层的光敏材料，从而形成金属银部分以制备导电膜前体的金属银形成步骤，和对所述导电膜前体进行平滑处理以制备导电膜的平滑处理步骤。在所述平滑处理中，通过彼此相对的第一和第二砑光辊辊压所述导电膜前体，所述第一砑光辊是将与支持体接触的树脂辊。该方法满足1/2≤P1/P2≤1的条件，其中P1表示将导电膜前体引入进行平滑处理步骤的区域时施加的传送力，P2表示将平滑处理后的导电膜从所述区域排出时施加的传送力。
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公开(公告)号：CN118974267A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031332.3
申请日：2023-03-27
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在通过细胞培养生产产物的方法中能够降低产物中的甘露糖5的量的方法以及通过上述方法生产的产物。根据本发明，提供一种产物的生产方法，其包括在培养容器内培养细胞的步骤，所述方法为灌流培养方式，在达到目标活细胞密度后的产物的生产期间中，满足式(1)～(5)，生产期间中的VCD的变动相对于生产期间中的平均活细胞密度为±20％以下，生产期间中的VCV的变动相对于生产期间中的VCV的平均值为±20％以下。式中的符号的含义如本说明书中所定义。0≤Gln‑C≤2.5式(1)0.5≤Gluc‑C≤8.0式(2)1.0≤NH4‑C≤8.0式(3)50≤VCD≤300式(4)0.6×105≤VCV≤4.0×105式(5)。
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公开(公告)号：CN113396212A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202080012318.5
申请日：2020-01-15
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种细胞培养装置，其具备：培养容器，容纳细胞悬浮液；及隔膜泵，用于从培养容器内部抽出细胞悬浮液，由隔膜泵的隔膜和包括隔膜的外缘部的远离隔膜顶点的一侧的面的平面F限定的空间的体积为1cm3以上且20cm3以下，关于隔膜中的各个点，当连接从隔膜顶点引出到平面F的垂线的垂足和各个点的直线与垂线所成角度设为各个点的角度A时，在角度A为0°到75°的区域中的任一点上，隔膜厚度H也在0.5mm以上且1.5mm以下的范围内，当将隔膜顶点上的隔膜厚度设为HT时，在角度A为0°到75°的区域中的任一点上，隔膜厚度H也满足1≤HT/H≤1.75的关系。本发明还提供一种使用了所述细胞培养装置的细胞培养方法及产物的制造方法。
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公开(公告)号：CN102532995A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110303850.5
申请日：2011-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供烧成膜的制造方法、以及输送载体的制造方法，所述烧成膜的制造方法包含：在基板上丝网印刷含有至少包含聚二甲基硅氧烷的聚二甲基硅氧烷组合物且在25℃下的粘度为10Pa·s～200Pa·s的涂布液而形成平均厚度100μm以上的涂膜的涂膜形成工序和烧成所述涂膜的烧成工序。所述输送载体的制造方法包含：在基板的至少一部分形成孔部或者凹部的孔部或者凹部形成工序、在将所述孔部或者凹部用设置于丝网版的掩模覆盖后，丝网印刷含有至少包含聚二甲基硅氧烷的聚二甲基硅氧烷组合物的涂布液而形成涂膜的涂膜形成工序和烧成所述涂膜的烧成工序。
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公开(公告)号：CN101794645A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010105471.0
申请日：2010-01-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03C5/58
Abstract: 本申请公开了导电膜制备方法，其包括：曝光和显影具有厚95μm的长支持体和其上的含银盐乳剂层的光敏材料，从而形成金属银部分以制备导电膜前体的金属银形成步骤，和对所述导电膜前体进行平滑处理以制备导电膜的平滑处理步骤。在所述平滑处理中，通过彼此相对的第一和第二砑光辊辊压所述导电膜前体，所述第一砑光辊是将与支持体接触的树脂辊。该方法满足1/2≤P1/P2≤1的条件，其中P1表示将导电膜前体引入进行平滑处理步骤的区域时施加的传送力，P2表示将平滑处理后的导电膜从所述区域排出时施加的传送力。
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