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发明公开
面发射半导体激光器及其制造方法、光传输装置审中-公开转让

公开(公告)号：CN118399195A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311406979.8

申请日：2023-10-27

Applicant: 富士胶片商业创新有限公司 , 富士胶片株式会社

Inventor： 关田直也 , 皆见健史 , 岩根优人 , 水野晃雅 , 武田一隆 , 向井厚史

IPC: H01S5/183 , H01S5/065

Abstract: 提供面发射半导体激光器及其制造方法、光传输装置，该面发射半导体激光器具备：基板；及结构体，包含形成于所述基板上的第1导电型第1多层膜反射镜、形成于所述第1多层膜反射镜上的活性层及形成于所述活性层上且包含电流狭窄层的第2导电型第2多层膜反射镜，所述结构体中，形成于所述电流狭窄层并且表示未被氧化狭窄的部分的孔部的形状为没有线对称或点对称的部分的形状。

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