公开(公告)号：CN1843997B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610072585.3

申请日：2006-04-07

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 栗原大 ,  郑用一 ,  矶亚纪良

IPC: C03C17/00 ,  C03C17/06 ,  G11B5/858 ,  G11B5/62

Abstract: 本发明提供一种对玻璃基体进行镀层的方法，其可利用无电解镀层法，在由玻璃材料制成的基体上，密合性良好地、均匀地形成甚至膜厚为1μm以上的镀膜。在由玻璃材料制成的基体上，依次至少实施玻璃活化处理(S2)、硅烷偶联剂处理(S3)、Pd催化处理(S4)、Pd结合处理(S5)后，利用无电解镀层(S6)形成膜厚为0.02μm～0.5μm的预镀膜并在200℃以上350℃以下的温度下实施退火处理(S7)，在该预镀膜上实施无电解镀层(S8)。

公开(公告)号：CN100485785C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510064386.3

申请日：2005-04-15

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 上住洋之 ,  郑用一 ,  贝沼研吾 ,  樋口和人 ,  矶亚纪良 ,  栗原大

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/73 ,  C23C18/50

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/7315

Abstract: 本发明的一个目的是提供用于垂直磁记录介质的基板，该基板表现出充分的生产能力，起到作为垂直磁记录介质的软磁性衬里层的作用，并且几乎不产生噪声。本发明的另一个目的是提供使用此基板的垂直磁记录介质。该磁盘基板(10)至少包括通过一种无电镀膜方法形成于非磁性基体(1)上的软磁性底层(2)。软磁性底层(2)的热膨胀系数大于非磁性盘状基体(1)的热膨胀系数。饱和磁致伸缩常数λs满足λs≥-1×10-5的关系。