公开(公告)号：CN100524811C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200410088700.7

申请日：2004-11-15

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 大月正人 ,  百田圣自 ,  胁本博树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种满足导通损耗和放射噪声双方的标准的绝缘栅型半导体装置，其解决方案如下；通过沟道(21)将p型基极层(20)分成多个p型基极区域(9、10、12)，而且使没有n型源极区(3)的p型基极区(10、12)之中的一部分的p型基极区域(12)和发射极(7)经分别设置在沟道(21)的终端部附近和活性区域内的栅电极流道(14)两侧的接触孔(11)电连接，此外，在用N1表示没有n型源极区(3)的p型基极区域(10、12)之中的、与发射极电连接的p型基极区域(12)的数，用N2表示与发射级绝缘的p型基极区域(10)的数时，N1和N2应当满足25≤{N1/(N1+N2)}×100≤75。