公开(公告)号：CN1310094C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN01121138.5

申请日：2001-05-31

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 佐佐木辉夫 ,  中村洋一 ,  铃木信二郎

IPC: G03G5/06

CPC classification number: G03G5/0696

Abstract: 公开了一种电子照相光电导体，它包括导电基片和光敏层，所述光敏层包括第一酞菁化合物电荷产生物质主要组分和第二酞菁化合物电荷产生物质次要组分，所述第二酞菁化合物的负电荷产生性高于第一酞菁化合物的负电荷产生性。还公开了其制造方法。

公开(公告)号：CN100480868C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN00130637.5

申请日：2000-10-06

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 中村洋一 ,  铃木信二郎 ,  喜纳秀树 ,  原健一 ,  佐佐木辉夫

IPC: G03G5/06 ,  G03G5/043

CPC classification number: G03G5/06 ,  G03G5/0612 ,  G03G5/0618 ,  G03G5/0629 ,  G03G5/0646 ,  G03G5/0696

Abstract: 提供一种具有高表面电荷保留率的电子照相光敏材料、含该光敏材料的电子照相光电导体和这种光敏材料及光电导体的制造方法，其特征在于向具有电荷产生功能的光敏材料中加入苯邻二甲酰亚胺盐化合物。

公开(公告)号：CN100422857C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN02107674.X

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 中村洋一 ,  会泽宏一 ,  佐佐木辉夫 ,  原健一

IPC: G03G5/05

CPC classification number: G03G5/0517 ,  G03G5/04 ,  Y10S430/103

Abstract: 本发明的目的是提供一种电子照相的光电导体，其通过包含一种在光电导体中从未用过的化合物添加剂而具有剩余电势和重复电势的优良特性。本发明的另一个目的是提供一种制造这种光电导体的方法。本发明的电子照相的光电导体包含导电基材和在该基材上的光敏层，其中所述光敏层包含磷酸三(4-硝基苯酯)。

公开(公告)号：CN1310095C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN03110407.X

申请日：2003-04-11

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 佐佐木辉夫 ,  铃木信二郎 ,  中村洋一

IPC: G03G5/06

CPC classification number: G03G5/0696 ,  C09B67/0035

Abstract: 本发明的目的是提供一种电子照相光电导体，它表现出良好的电子照相性能，尤其是高敏感性。本发明的另一个目的是提供一种制备该电子照相光电导体的方法，它包括用涂敷液形成表现出高敏感性的光敏层的步骤。本发明的电子照相光电导体包含含有光电物质的光敏层，其主要组分是金属酞菁化合物，其次要组分是具有中心元素氢的酞菁化合物。次要组分的含量为1μmol—200mmol，以1mol主要组分为基准。本发明的制造方法采用含有光电物质的涂敷液，所述光电物质包含金属酞菁化合物主要组分和含量为1μmol—200mmol的具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分，以1mol主要组分为基准。