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公开(公告)号：CN115732495A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210897071.0
申请日：2022-07-28
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供降低将半导体模块组装后的不良率的半导体装置的测试方法以及半导体模块的制造方法。该半导体装置设置有：包括主晶体管部和主二极管部的主元件部；以及电流检测用的感测晶体管部，该测试方法包括：在处于芯片或晶片状态的半导体装置中，使感测晶体管部进行二极管的工作的元件工作步骤；对表示进行二极管的工作的感测晶体管部的主端子间的电压与在主端子流通的电流之间的关系的电压‑电流特性进行测定的元件测定步骤；以及基于电压‑电流特性判断半导体装置是否不良的元件判断步骤。
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