公开(公告)号：CN106134047B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201580016811.3

申请日：2015-08-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田冈正裕

IPC: H02M1/08 ,  H03K17/082

Abstract: 本发明能够利用一个警报信号输出端子输出警报用的保护动作信号和预告警报用的信号。输入到过热检测端子(OH)的表示IGBT芯片(1)的温度的信号同时被输入到检测保护动作的比较器(17)和检测预告警报的比较器(20)。在芯片温度较低的正常时，经由电阻(24)连接至警报信号输出端子(ALM)的晶体管(N1)以及经由齐纳二极管(25)连接至警报信号输出端子(ALM)的晶体管(N2)处于截止状态，从而将经由外部上拉电路进行上拉后的警报信号输出端子(ALM)设为较高电平的电压。若比较器(20)检测到预告警报状态，则晶体管(N2)变为导通状态，从而将警报信号输出端子(ALM)设为中间电平的电压，若比较器(17)检测到芯片的过热，则晶体管(N1)变为导通状态，从而将警报信号输出端子(ALM)设为较低电平的电压。

公开(公告)号：CN111446846A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201911163295.3

申请日：2019-11-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田冈正裕

IPC: H02M1/08

Abstract: 在开关元件的驱动装置中，兼顾缩短开关时间和降低电磁噪声。在向开关元件(10)的栅极供给充电电流的PMOS晶体管(MP1)并联地连接PMOS晶体管(MP2)。计时器电路(25)仅在从PMOS晶体管(MP1)导通起预定时间内使PMOS晶体管(MP2)导通而增加充电能力。在从开关元件(10)的栅极吸取放电电流的NMOS晶体管(MN11)并联地连接NMOS晶体管(MN12)。计时器电路(26)仅在从NMOS晶体管(MN11)导通起预定时间内使NMOS晶体管(MN12)导通而增加放电能力。通过充放电能力的增加从而缩短开关时间而降低开关损耗，通过在预定时间后降低充放电能力，从而降低电磁噪声。

公开(公告)号：CN106134047A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016811.3

申请日：2015-08-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田冈正裕

IPC: H02M1/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H03K17/082 ,  H02M1/08 ,  H02M2001/327 ,  H03K3/011 ,  H03K17/0822

Abstract: 本发明能够利用一个警报信号输出端子输出警报用的保护动作信号和预告警报用的信号。输入到过热检测端子(OH)的表示IGBT芯片(1)的温度的信号同时被输入到检测保护动作的比较器(17)和检测预告警报的比较器(20)。在芯片温度较低的正常时，经由电阻(24)连接至警报信号输出端子(ALM)的晶体管(N1)以及经由齐纳二极管(25)连接至警报信号输出端子(ALM)的晶体管(N2)处于截止状态，从而将经由外部上拉电路进行上拉后的警报信号输出端子(ALM)设为较高电平的电压。若比较器(20)检测到预告警报状态，则晶体管(N2)变为导通状态，从而将警报信号输出端子(ALM)设为中间电平的电压，若比较器(17)检测到芯片的过热，则晶体管(N1)变为导通状态，从而将警报信号输出端子(ALM)设为较低电平的电压。

公开(公告)号：CN117240264A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310579785.1

申请日：2023-05-22

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田冈正裕

IPC: H03K17/06 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明提供一种实现检测出异常的输入而防止误动作的半导体装置。异常输入控制电路(1c)具有检测电路(1c1)、(1c2)、(1c3)中的至少一者，检测电路(1c1)进行叠加于输入信号(s11)的噪声的检测。检测电路(1c2)检测输入信号(s11)的脉冲宽度为预定宽度以下的情况。检测电路(1c3)检测输入信号(s11)的电平与开关元件(1a)的动作之间的不匹配。警报‑保护电路(1c4)具有警报信号输出功能(1c41)和驱动调整功能(1c42)中的至少一个，警报信号输出功能(1c41)基于检测结果将警报信号(s12)输出到外部，驱动调整功能(1c42)基于检测结果调整开关元件(1a)的驱动。

公开(公告)号：CN304293189S

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201630592141.7

申请日：2016-12-05

Applicant: 富士电机株式会社

Designer： 泽柳悟 ,  田冈正裕 ,  大瀬智文 ,  高桥秀明

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体模块。
2．本外观设计产品的用途：本产品是搭载有功率半导体元件等的半导体模块。
3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计的设计要点在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN302808897S

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201330443744.7

申请日：2013-09-16

Applicant: 富士电机株式会社

Designer： 高桥秀明 ,  寺岛健史 ,  本桥觉 ,  田冈正裕

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体模块。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品是搭载有功率半导体元件的半导体模块。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计的设计要点在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。