公开(公告)号：CN110383489B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201880014453.6

申请日：2018-08-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 熊田恵志郎 ,  桥爪悠一 ,  星保幸 ,  铃木启久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12

Abstract: 碳化硅半导体装置具备：设置于第1导电型的半导体基板(1)的正面的第1导电型的第1半导体层(2)、第2导电型的第2半导体层(3)、第1导电型的第1半导体区(7)、隔着栅极绝缘膜(9)设置的条纹形状的栅极(10)。另外，还具备设置于第2半导体层(3)和第1半导体区(7)的表面的第1电极(13)、选择性地设置于第1电极(13)上的镀膜(16)和将提取外部信号的针状电极(19)粘着于镀膜(16)上的焊料(17)。栅极(10)在与设置有焊料(17)和镀膜(16)的第1电极(13)对置的区域中具有沿着与条纹形状相交的方向延伸的凸部分，栅极(10)彼此连接。

公开(公告)号：CN110383489A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880014453.6

申请日：2018-08-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 熊田恵志郎 ,  桥爪悠一 ,  星保幸 ,  铃木启久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12

Abstract: 碳化硅半导体装置具备：设置于第1导电型的半导体基板(1)的正面的第1导电型的第1半导体层(2)、第2导电型的第2半导体层(3)、第1导电型的第1半导体区(7)、隔着栅极绝缘膜(9)设置的条纹形状的栅极(10)。另外，还具备设置于第2半导体层(3)和第1半导体区(7)的表面的第1电极(13)、选择性地设置于第1电极(13)上的镀膜(16)和将提取外部信号的针状电极(19)粘着于镀膜(16)上的焊料(17)。栅极(10)在与设置有焊料(17)和镀膜(16)的第1电极(13)对置的区域中具有沿着与条纹形状相交的方向延伸的凸部分，栅极(10)彼此连接。