公开(公告)号：CN111665429B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202010078922.X

申请日：2020-02-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泽雄生

IPC: G01R31/26

Abstract: 提供能够提高半导体装置的电特性的检测精度的半导体装置的试验方法。预先获取半导体装置的温度与温度检测用二极管的正向电压之间的第一关系式(步骤S1)。预先获取表示半导体装置的导通电压与从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度变化量之间的关系的第二关系式(步骤S2)。获取从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度检测用二极管的正向电压变化量(步骤S3)。利用第一关系式和在步骤S3的处理中获取到的正向电压变化量，计算从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度变化量(步骤S4)。利用第二关系式，获取在步骤S4中获取到的温度变化量下的MOS栅型半导体装置的修正后的导通电压(步骤S5)。

公开(公告)号：CN116918073A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280018147.6

申请日：2022-09-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜 ,  吉村尚 ,  泽雄生 ,  山口省吾

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第一导电型的缓冲区，其设置在比漂移区更靠半导体基板的背面侧的位置，且具有掺杂浓度的第一峰；以及第一晶格缺陷区，其在半导体基板的深度方向上设置在比第一峰更靠半导体基板的正面侧的位置，且具有复合中心，缓冲区具有氢化学浓度分布为峰的氢峰，其设置在比第一晶格缺陷区靠半导体基板的正面侧的位置，在半导体基板的深度方向上，沿从漂移区的上端起到氢峰为止的方向对掺杂浓度进行积分而得的积分浓度为临界积分浓度以上。

公开(公告)号：CN118743030A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380023606.4

申请日：2023-06-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泽雄生 ,  洼内源宜 ,  大井幸多

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其设置有纵向型，所述纵向型元件具有：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第一注入部，其设置于比所述漂移区更靠下方的位置；以及第二注入部，其设置于比所述漂移区更靠下方的位置，且所述第二注入部的载流子注入效率比所述第一注入部的载流子注入效率低，在所述半导体基板的背面，所述第一注入部的面积比所述第二注入部的面积大，所述纵向型元件具有在预先确定的方向上交替地设置的所述第一注入部和所述第二注入部。

公开(公告)号：CN111665429A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010078922.X

申请日：2020-02-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泽雄生

IPC: G01R31/26

Abstract: 提供能够提高半导体装置的电特性的检测精度的半导体装置的试验方法。预先获取半导体装置的温度与温度检测用二极管的正向电压之间的第一关系式(步骤S1)。预先获取表示半导体装置的导通电压与从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度变化量之间的关系的第二关系式(步骤S2)。获取从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度检测用二极管的正向电压变化量(步骤S3)。利用第一关系式和在步骤S3的处理中获取到的正向电压变化量，计算从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度变化量(步骤S4)。利用第二关系式，获取在步骤S4中获取到的温度变化量下的MOS栅型半导体装置的修正后的导通电压(步骤S5)。