-
公开(公告)号：CN111766490A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010106325.3
申请日：2020-02-21
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 宫里真树
Abstract: 本发明提供一种能够利用灵敏度比基于正向电压的变化率的筛选的灵敏度更好的测定来筛选的碳化硅半导体装置的筛选方法。本发明筛选具有MOS栅极结构的碳化硅半导体装置(50)。首先，测定碳化硅半导体装置(50)的导通电压。接着，在碳化硅半导体装置(50)的内置二极管流通正向电流。接着，检测流通正向电流后的碳化硅半导体装置(50)的导通电压。接着，根据在第一工序测定出的导通电压与在第三工序测定出的导通电压而计算出碳化硅半导体装置(50)的导通电压的变化率。接着，筛选出所计算出的变化率低于3％的碳化硅半导体装置(50)。
-
公开(公告)号：CN111766490B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202010106325.3
申请日：2020-02-21
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 宫里真树
Abstract: 本发明提供一种能够利用灵敏度比基于正向电压的变化率的筛选的灵敏度更好的测定来筛选的碳化硅半导体装置的筛选方法。本发明筛选具有MOS栅极结构的碳化硅半导体装置(50)。首先，测定碳化硅半导体装置(50)的导通电压。接着，在碳化硅半导体装置(50)的内置二极管流通正向电流。接着，检测流通正向电流后的碳化硅半导体装置(50)的导通电压。接着，根据在第一工序测定出的导通电压与在第三工序测定出的导通电压而计算出碳化硅半导体装置(50)的导通电压的变化率。接着，筛选出所计算出的变化率低于3％的碳化硅半导体装置(50)。
-
公开(公告)号：CN116897434A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280016320.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 在n+型起始基板(21)上依次使第一缓冲区(11)、第二缓冲区(12)以及n‑型漂移区(2)外延生长。第一缓冲区(11)的杂质浓度比n‑型漂移区(2)的杂质浓度高且比n+型起始基板(21)的杂质浓度低。第二缓冲区(12)的杂质浓度比第一缓冲区(11)的杂质浓度高，并从n‑型漂移区(2)侧的梯度变化点(41a)朝向第一缓冲区(11)侧的梯度变化点(41b)以第一杂质浓度梯度(41)连续地增加，从梯度变化点(41a)朝向第一界面(27)以第二杂质浓度梯度(42)连续地减少，从梯度变化点(41b)朝向第二界面(26)以第三杂质浓度梯度(43)连续地减少。第二杂质浓度梯度(42)比第三杂质浓度梯度(43)小。由此，可靠性提高。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.017 seconds)
