-
公开(公告)号：CN119743962A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411182035.1
申请日：2024-08-27
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，其通过形成低电阻的欧姆电极，而能够在维持低的Vf特性的同时提高浪涌电流耐量，并且能够减少泄漏电流。半导体装置具备有源区、第一导电型区、以及终端区。在有源区具有第一个第二导电型区、硅化物膜、以及第一电极，在终端区具有第二个第二导电型区。有源区由第一电极与硅化物膜接触的欧姆区、以及第一电极与第一导电型区接触的肖特基区构成。在第一导电型区的杂质浓度为低浓度的情况下，在芯片中央部设置比芯片外周部多的欧姆区，在第一导电型区的杂质浓度为高浓度的情况下，在芯片外周部设置比芯片中央部多的欧姆区。
Search Results
1
records
(took 0.019 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
