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公开(公告)号：CN102402142A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110090414.4
申请日：2011-04-11
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/751 , G03G5/0525 , G03G5/0539 , G03G5/0575 , G03G5/0614 , G03G5/071 , G03G5/14726 , G03G5/14769 , G03G5/14786 , G03G5/14791 , G03G5/14795 , G03G2215/00957
Abstract: 本发明涉及感光体及其制造方法、图像形成装置和处理盒。本发明提供的电子照相感光体按如下顺序包括：基体、感光层和表面保护层，其中所述保护层含有含量为90重量％～98重量％的固化性电荷输送材料的交联产物和含量为2重量％～10重量％的氟化树脂颗粒，并且所述保护层满足式(1)：0.5≤b/a≤1，其中，“a”表示存在于从保护层的感光层侧表面到对应于保护层膜厚度的2/3位置的保护层的区域中的氟原子与碳原子、氧原子及氟原子之总和的比率，而“b”表示在从保护层的外表面到对应于保护层厚度的1/3位置的保护层的区域中的氟原子与碳原子、氧原子及氟原子之总和的比率。
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公开(公告)号：CN105911822A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201510570613.3
申请日：2015-09-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 一种电子照相感光体、处理盒和成像装置，该电子照相感光体包括：导电性基体和单层型感光层，该感光层包含粘结剂树脂、电荷产生材料、空穴传输材料和电子传输材料，其中感光层中的电荷产生材料的含量为0.5重量％以上且小于2.0重量％，并且电荷产生材料满足表达式(1)：30≤a/b，其中a表示在从感光层的膜厚度的表面侧至对应于膜厚度1/3的点的区域中，每单位截面积的电荷产生材料的数目，并且b表示在从感光层的膜厚度的导电性基体侧至对应于膜厚度的2/3的位置的区域中，每单位截面积的电荷产生材料的数目，条件是包括b为0的情况。
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公开(公告)号：CN110347019A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910163427.6
申请日：2019-03-05
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明涉及电子照相感光体、充正电用电子照相感光体、处理盒和图像形成装置。本发明的电子照相感光体包括：导电基材；设置在所述导电基材上的单层型感光层；设置在所述单层型感光层上的无机保护层；其中，介于所述导电基材和所述无机保护层之间的层的总厚度为10μm至25μm。
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公开(公告)号：CN103365126B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201210585391.9
申请日：2012-12-28
Applicant: 富士施乐株式会社
Inventor： 川畑幸美
CPC classification number: G03G5/14726 , G03G5/047 , G03G5/0539 , G03G5/14708 , G03G5/14713 , G03G15/00
Abstract: 本发明涉及电子照相感光体、图像形成装置和处理盒。所述电子照相感光体包括基体和感光层，其中，所述电子照相感光体具有含有氟树脂颗粒的表面层，并且在表面上露出的所述氟树脂颗粒满足下式(1)，其中，(A)表示5～20个氟树脂颗粒连接并凝集的凝集颗粒的个数，并且(B)表示没有凝集的孤立的氟树脂颗粒和2～4个氟树脂颗粒连接并凝集的凝集颗粒的总个数。0.5≤(A)/(B)≤10 式(1)。
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公开(公告)号：CN107179658A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201610806829.X
申请日：2016-09-06
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G5/0696 , G03G5/04 , G03G5/0528 , G03G5/0609 , G03G5/0612 , G03G5/0614 , G03G5/0618 , G03G5/07 , G03G15/75 , G03G5/0596
Abstract: 本发明公开了一种电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置，该电子照相感光体包括：导电基底以及配置于所述导电基底上的单层型感光层。所述单层型感光层含有粘合剂树脂、电荷产生材料、电子传输材料以及空穴传输材料。所述单层型感光层具有0.7以上且1.0以下的浓度比(A/B)，该浓度比(A/B)是从远离所述导电基底的所述感光层的表面测得的所述电子传输材料相对于所述粘合剂树脂的浓度A与从接近所述导电基底的所述感光层的表面测得的所述电子传输材料相对于所述粘合剂树脂的浓度B之间的比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106468862A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610130368.9
申请日：2016-03-08
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: G03G5/06
Abstract: 本发明提供了一种电子照相感光元件、处理盒和图像形成装置。所述电子照相感光元件包括导电性基体和在导电性基体上的单层型感光层。感光层含有粘合剂树脂、电荷生成材料、空穴输送材料、含氟原子的电子输送材料以及含氟原子的树脂颗粒。感光层中的电荷生成材料的量为0.5重量％以上且小于2.0重量％。电荷生成材料在感光层的厚度方向上的分布满足式(1)：30≤a/b，其中，a和b如在说明书中所限定，并且b可以是0。含氟原子的电子输送材料在感光层的厚度方向上的分布满足式(2)：30≤c/d，其中，c和d如在说明书所限定，并且d可以是0。
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公开(公告)号：CN105425555A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510166824.0
申请日：2015-04-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供了一种式(1)所示的电子传输材料：其中，X表示氧原子或＝C(CN)2；R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地表示氢原子、卤原子、直链或支链烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；R8、R9和R10各自独立地表示氢原子、卤原子、直链或支链烷基、芳烷基、芳基、-R11-O-R12、或-R13-CO-O-R14；R11表示直链或支链亚烷基；R12表示直链或支链烷基；R13表示单键、或直链或支链亚烷基；R14表示直链或支链烷基、芳基或芳烷基，条件是R8、R9、和R10中至少两个以上基团为非氢原子的基团。本发明还涉及电子照相感光体、处理盒和成像装置。该电子传输材料不会导致感光层中形态的变化。
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公开(公告)号：CN105425555B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201510166824.0
申请日：2015-04-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供了一种式(1)所示的电子传输材料：其中，X表示氧原子或＝C(CN)2；R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地表示氢原子、卤原子、直链或支链烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；R8、R9和R10各自独立地表示氢原子、卤原子、直链或支链烷基、芳烷基、芳基、‑R11‑O‑R12、或‑R13‑CO‑O‑R14；R11表示直链或支链亚烷基；R12表示直链或支链烷基；R13表示单键、或直链或支链亚烷基；R14表示直链或支链烷基、芳基或芳烷基，条件是R8、R9、和R10中至少两个以上基团为非氢原子的基团。本发明还涉及电子照相感光体、处理盒和成像装置。该电子传输材料不会导致感光层中形态的变化。
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公开(公告)号：CN106468862B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610130368.9
申请日：2016-03-08
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: G03G5/06
Abstract: 本发明提供了一种电子照相感光元件、处理盒和图像形成装置。所述电子照相感光元件包括导电性基体和在导电性基体上的单层型感光层。感光层含有粘合剂树脂、电荷生成材料、空穴输送材料、含氟原子的电子输送材料以及含氟原子的树脂颗粒。感光层中的电荷生成材料的量为0.5重量％以上且小于2.0重量％。电荷生成材料在感光层的厚度方向上的分布满足式(1)：30≤a/b，其中，a和b如在说明书中所限定，并且b可以是0。含氟原子的电子输送材料在感光层的厚度方向上的分布满足式(2)：30≤c/d，其中，c和d如在说明书所限定，并且d可以是0。
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公开(公告)号：CN102707589B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110353653.4
申请日：2011-11-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/75 , G03G5/0539 , G03G5/0564 , G03G5/0567 , G03G5/0571 , G03G5/0575 , G03G5/0592 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/1476 , G03G5/14765 , G03G5/14769 , G03G5/14791
Abstract: 本发明涉及一种电子照相感光体、图像形成装置和处理盒。所述电子照相感光体包含导电性基体和感光层，并使得构成所述感光层的最外表面的层通过使具有反应性羟基的交联性电荷输送材料和具有反应性烷氧基的交联性电荷输送材料聚合而形成，而且构成所述最外表面的层的外表面的电离电势比构成所述最外表面的层的内表面的电离电势高约0.1eV以上。
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