公开(公告)号：CN102842578A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210230125.4

申请日：2012-06-21

Applicant: 寇平公司

Inventor： K·斯蒂文斯 ,  C·路茨

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8248

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种外延层结构，包括场效应晶体管结构和异质结双极晶体管结构。异质结双极晶体管结构包含与场效应晶体管结构组合形成的n掺杂次集电极和集电极，其中次集电极或集电极中至少一部分包含Sn、Te或Se。在一个实施方式中，基极形成在集电极上方；以及发射极形成在基极上方。双极晶体管和场效应晶体管每个独立地包含III-V半导体材料。