公开(公告)号：CN101803133A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106365.5

申请日：2008-09-11

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·A·贝法 ,  N·S·翁 ,  M·格林 ,  C·斯塔盖瑞斯库

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/12 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/18 ,  H01S5/4025

Abstract: 半导体芯片具有至少两个DFB刻蚀端面激光腔，其中一组端面具有AR涂层，第二组刻蚀端面具有HR涂层，从而相对于光栅具有不同的相对位置。这可在每一个刻蚀端面和光栅之间产生相位差，光栅改变两个激光腔的工作特性，使得至少一个激光器提供可接受的性能。因此，两腔设置极大地提高了芯片制造的成品率。

公开(公告)号：CN101803133B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880106365.5

申请日：2008-09-11

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·A·贝法 ,  N·S·翁 ,  M·格林 ,  C·斯塔盖瑞斯库

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/12 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/18 ,  H01S5/4025

Abstract: 半导体芯片具有至少两个DFB刻蚀端面激光腔，其中一组端面具有AR涂层，第二组刻蚀端面具有HR涂层，从而相对于光栅具有不同的相对位置。这可在每一个刻蚀端面和光栅之间产生相位差，光栅改变两个激光腔的工作特性，使得至少一个激光器提供可接受的性能。因此，两腔设置极大地提高了芯片制造的成品率。