颗粒混合物、成型体和成型体的制造方法

    公开(公告)号:CN101798431A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN201010110752.5

    申请日:2010-02-03

    Abstract: 本发明提供以特定量含有特定添加剂、可保持环状烯烃系树脂所具有的各种优异物性、可在各种情况下使用、并可有效抑制凝胶状物产生的颗粒混合物,以及将该颗粒混合物成型而成的成型体和含有环状烯烃系树脂和低密度聚乙烯的成型体的制造方法。一种颗粒混合物,其含有环状烯烃系树脂颗粒和低密度聚乙烯颗粒,其中,使用依照JIS K6922-1、在温度190℃、载荷2.16Kg的条件下测定的熔体质量流动速率为4~80g/10分钟的低密度聚乙烯。

    液晶性树脂粒料及由其构成的熔融挤出膜

    公开(公告)号:CN116615321A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202180085991.6

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 提供一种熔融挤出膜用液晶性树脂粒料,其可以提供即使较多地包含源自6‑羟基‑2‑萘甲酸的结构单元,粗糙物的产生及MD方向上的厚度变动也降低的熔融挤出膜。本发明的熔融挤出膜用液晶性树脂粒料含有(A)液晶性树脂,前述(A)液晶性树脂包含下述结构单元(I),相对于全部结构单元,结构单元(I)的含量为40~85摩尔%,通过DSC测定的熔解焓ΔH为0.0~4.5J/g。(I)

    薄膜的制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104884228B

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201380062709.8

    申请日:2013-10-10

    CPC classification number: B29C47/0021 B29C47/004 B29C2947/92209

    Abstract: 提供能够制造具有易撕裂性的薄膜的方法。本发明提供一种薄膜的制造方法,该方法包括以下成型工序:使用挤出机将含有超过0质量%且60质量%以下的环状烯烃树脂和非环状烯烃树脂的树脂组合物成型,上述环状烯烃树脂的玻璃化转变温度为40℃以上,上述成型工序中的上述挤出机的机筒温度减去上述环状烯烃树脂的玻璃化转变温度的值为140℃以下。

    薄膜的制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104884228A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201380062709.8

    申请日:2013-10-10

    CPC classification number: B29C47/0021 B29C47/004 B29C2947/92209

    Abstract: 提供能够制造具有易撕裂性的薄膜的方法。本发明提供一种薄膜的制造方法,该方法包括以下成型工序:使用挤出机将含有超过0质量%且60质量%以下的环状烯烃树脂和非环状烯烃树脂的树脂组合物成型,上述环状烯烃树脂的玻璃化转变温度为40℃以上,上述成型工序中的上述挤出机的机筒温度减去上述环状烯烃树脂的玻璃化转变温度的值为140℃以下。

    颗粒混合物、成型体和成型体的制造方法

    公开(公告)号:CN101798431B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201010110752.5

    申请日:2010-02-03

    Abstract: 本发明提供以特定量含有特定添加剂、可保持环状烯烃系树脂所具有的各种优异物性、可在各种情况下使用、并可有效抑制凝胶状物产生的颗粒混合物,以及将该颗粒混合物成型而成的成型体和含有环状烯烃系树脂和低密度聚乙烯的成型体的制造方法。一种颗粒混合物,其含有环状烯烃系树脂颗粒和低密度聚乙烯颗粒,其中,使用依照JIS K6922-1、在温度190℃、载荷2.16Kg的条件下测定的熔体质量流动速率为4~80g/10分钟的低密度聚乙烯。

    环烯烃共聚物、树脂组合物以及薄膜状或片状的模制品

    公开(公告)号:CN118475627A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202280085238.1

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本发明提供一种环烯烃共聚物、含有该环烯烃共聚物的树脂组合物以及将所述环烯烃共聚物或者所述树脂组合物成型而获得的薄膜状或片状的模制品,所述环烯烃共聚物含有衍生自降冰片烯单体的结构单元和衍生自乙烯的结构单元,衍生自降冰片烯单体的结构单元具有内消旋型的二单元组部位和外消旋型的二单元组部位以及三单元组部位,内消旋型的二单元组部位的含量(mol%)与外消旋型的二单元组部位的含量(mol%)的比值为0.10~3.00,并且三单元组部位的含量为2.5mol%以下。

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