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公开(公告)号：CN101013088A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610170519.X
申请日：2006-12-21
Applicant: 安捷伦科技有限公司
Inventor： 蒂路玛拉·R·兰格纳斯 , 米哈伊尔·M·西加拉斯
IPC: G01N21/41
CPC classification number: G01N21/55 , G01N21/4133 , G01N21/8422 , G01N2021/4126 , G01N2021/551
Abstract: 根据本发明，铺片式周期性金属膜传感器可被用于测量液体薄层的折射率变化，从而确定液体组分的变化。铺片式周期性金属膜传感器感知作为波长函数的反射光，并推断流体的折射率变化。为了确定液体组分的变化，要求能够补偿任何环境温度的变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1942794A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000087.6
申请日：2006-02-17
Applicant: 安捷伦科技有限公司
Inventor： 安纳特斯·C·格洛特 , 劳拉·威尔斯·米尔卡里米 , 米哈伊尔·M·西加拉斯 , 周启祥
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00 , G01N21/41 , G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种适用于单纳米颗粒检测的光子晶体传感器。它可以检测非常小的单个颗粒和单个分子。该传感器可以适用于进行差动测量。
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公开(公告)号：CN1898592A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580001374.4
申请日：2005-03-04
Applicant: 安捷伦科技有限公司
Inventor： 安纳特斯·格洛特 , 周启祥 , 劳拉·威尔斯·米尔卡里米 , 米哈伊尔·M·西加拉斯
IPC: G02F1/00
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00 , G01B11/0625
Abstract: 光子晶体传感器可以通过引入缺陷而由二维和三维光子晶体制成。将光场局限在缺陷区域中提供了感知小体积被分析物的能力。
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公开(公告)号：CN1493897A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03149502.8
申请日：2003-07-14
Applicant: 安捷伦科技有限公司
Inventor： 杰雷米·A·泰伊 , 米哈伊尔·M·西加拉斯 , 斯托尔斯·T·霍恩
CPC classification number: G02F1/0128 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02F2202/32
Abstract: 本发明公开了一种三维光子晶体点阵结构，利用微电机致动器，可以对调节短杆进行致动，以调节光子晶体点阵结构中的空腔。被致动的调节短杆可以被用于调节在二维和三维光子晶体点阵结构中的空腔。
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公开(公告)号：CN1958715A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610150386.X
申请日：2006-10-30
Applicant: 安捷伦科技有限公司
Inventor： 米哈伊尔·M·西加拉斯 , 蒂路玛拉·R·兰格纳斯
CPC classification number: H01S3/213 , C09K11/025 , C09K11/883 , H01S3/169
Abstract: 本发明提供了一种使用被涂覆金属的电介质纳米颗粒增强发射的方法和系统。荧光染料或量子点可以被嵌入到适当大小的电介质体中，其中通常是电介质体一半的表面被金属涂层覆盖，以允许吸收和发射效率的提高。或者可以使用适当的化学处理使荧光染料或量子点附着于被涂覆金属的电介质形状体。
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公开(公告)号：CN1940526A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610083008.4
申请日：2006-05-25
Applicant: 安捷伦科技有限公司
Inventor： 米哈伊尔·M·西加拉斯 , 蒂路玛拉·R·兰格纳斯
CPC classification number: G01N15/06 , B82Y20/00 , G02B6/1225
Abstract: 用导电腔传感器可以对粒子含量或单个粒子进行检测。导电腔传感器包括电介质包围的导电杆的二维周期性晶格，周期性晶格中的缺陷用作感测用容腔。
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