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公开(公告)号：CN116397198B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202310360438.X
申请日：2023-04-06
Applicant: 安徽赛福电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种THB抗氧化金属化薄膜，包括高分子聚合物基膜层，锌层，抗氧化油膜层，还包括极性官能团层，第一无定形三氧化二铝层，第二无定形三氧化二铝层，所述极性官能团层为高分子聚合物基膜层经过等离子体处理后，产生C‑O/C‑N，C＝O/N‑C＝O，O‑C＝O等极性官能团，所述第一无定形三氧化二铝层为真空蒸镀的金属铝结合极性官能团里的氧形成，所述第二无定形三氧化二铝层位于锌层的外侧，为金属铝结合外界空气中氧而形成，所述抗氧化油膜层位于最外层。本发明金属化薄膜外层抗氧化油膜层和致密的无定形三氧化二铝层存在，保护了内侧的锌层不转化成氧化锌，在金属化薄膜使用前长期保存不氧化。
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公开(公告)号：CN116397198A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310360438.X
申请日：2023-04-06
Applicant: 安徽赛福电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种THB抗氧化金属化薄膜，包括高分子聚合物基膜层，锌层，抗氧化油膜层，还包括极性官能团层，第一无定形三氧化二铝层，第二无定形三氧化二铝层，所述极性官能团层为高分子聚合物基膜层经过等离子体处理后，产生C‑O/C‑N，C＝O/N‑C＝O，O‑C＝O等极性官能团，所述第一无定形三氧化二铝层为真空蒸镀的金属铝结合极性官能团里的氧形成，所述第二无定形三氧化二铝层位于锌层的外侧，为金属铝结合外界空气中氧而形成，所述抗氧化油膜层位于最外层。本发明金属化薄膜外层抗氧化油膜层和致密的无定形三氧化二铝层存在，保护了内侧的锌层不转化成氧化锌，在金属化薄膜使用前长期保存不氧化。
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公开(公告)号：CN119314799A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411410198.0
申请日：2024-10-10
Applicant: 安徽赛福电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高自愈式金属化薄膜及电容器，包括电容器芯，将高自愈式金属化薄膜卷绕成卷芯后，在卷芯两端进行喷金即得所述电容器芯；将绝缘薄膜送入硅烷类偶联剂溶液中，在液电效应的作用下进行表面改性处理，得到硅烷改性绝缘薄膜。利用硅烷类偶联剂在液电效应的作用下使得绝缘薄膜被改性，从而显著提高硅烷改性绝缘薄膜的界面性能，镀铝层与硅烷改性绝缘薄膜之间的结合强度增强，即使局部区域的镀铝层自愈后重新沉积，不但易与硅烷改性绝缘薄膜结合，同时硅烷改性绝缘薄膜也不易被击穿，薄膜电容器的初始自愈击穿场强显著提升，即使发生自愈，最大自愈孔面积显著减小，该薄膜电容器的自愈性能优异。
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公开(公告)号：CN117210790A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311159131.X
申请日：2023-09-09
Applicant: 安徽赛福电子有限公司 , 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能聚丙烯薄膜金属化纳米蒸镀设备及蒸镀工艺，包括：蒸镀箱、蒸发盘、第一支撑架和第二转动辊；蒸镀箱内部居中的位置设置有隔热板，蒸发盘固定连接在蒸镀箱的底部；本发明通过柜门的设置，可以将第一转动辊和第二转动辊进行放置；利用蒸发源蒸镀对聚丙烯薄膜本体进行蒸镀；利用清洁刷可以对蒸镀后的聚丙烯薄膜本体进行清洁，可以防止聚丙烯薄膜本体发生褶皱；利用把手、连接板和固定板带动调节板进行移动，而调节板表面的通孔会与蒸发孔发生错位，从而蒸镀后的气体流出就较小，便于控制蒸镀气体的流出，避免较多的蒸镀气体流向聚丙烯薄膜本体的表面，便于对蒸镀气体进行控制。
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公开(公告)号：CN116463593B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310380959.1
申请日：2023-04-11
Applicant: 安徽赛福电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种防边缘倒边的金属化薄膜及其制作方法，包括基膜层，以及设于基膜层上的金属化层，所述金属化层包括位于中间的加厚区和加厚区两侧的活动区，且加厚区的竖直高度大于活动区的竖直高度；所述加厚区的中间经过削峰后其顶部为水平状，以使加厚区的厚度基本一致，从而与活动区之间存在平缓过渡。本发明通过对加厚区的中间实现削峰，使加厚区的顶部为水平状，可以让加厚区的厚度基本一致，从而与活动区之间存在平缓过渡，能够防止分切后或电容器元件芯子卷绕时出现边缘倒边的情况，从而解决了金属化薄膜和电容器制作过程中的不合格现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116377393A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310360440.7
申请日：2023-04-06
Applicant: 安徽赛福电子有限公司
Abstract: 本发明涉及金属化薄膜、镀膜机及制备工艺，包括：高分子聚合物基膜层；多组金属化层，相互间隔设置于高分子聚合物基膜层上，所述金属化层包括活动区、设置在活动区中部的加厚区以及翘边区，所述翘边区位于活动区的两端；留边部，设置于相邻两组的金属化层之间的间隔区域上，用于衔接两组相邻的金属化层，所述留边部上喷涂有屏蔽油，所述翘边区的厚度大于屏蔽油的厚度，以防止屏蔽油向活动区方向扩散，本发明通过挡板的翘边区孔在金属化薄膜活动区外侧增加翘边区，相当于在屏蔽油两侧筑起了堤坝，阻止了留边部上的屏蔽油向活动区内部扩散，防止金属化层被油污染，形成金属化膜报废和退货。
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公开(公告)号：CN119314800A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411410369.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 安徽赛福电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种阻燃抗击穿型金属化薄膜及电容器，包括铝壳、电容器芯、对电容器芯进行封装的环氧树脂层，所述电容器芯由阻燃抗击穿型金属化薄膜经过卷绕、喷金制成；在阻燃改性绝缘薄膜的表面通过真空镀膜工艺制成金属镀层。在本发明中，所述阻燃抗击穿型薄膜电容器通过改性现有绝缘基膜的制造工艺，通过在聚合物颗粒中添加阻燃剂，再通过对薄膜喷涂电晕辅助液配合电晕处理，能够改善因添加阻燃剂导致薄膜热收缩率过大及冲击强度低的缺陷，最终显著提高薄膜电容器的阻燃性以及抗击穿性能。
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公开(公告)号：CN118886239A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410580975.X
申请日：2024-05-11
Applicant: 安徽赛福电子有限公司
IPC: G06F30/23 , G01K7/16 , G06T17/00 , G06F119/08
Abstract: 本申请公开了多芯体金属化膜电容器的温度场计算方法，包括：建立多芯体并联金属化膜电容器的三维模型；分别测量并计算等效串联电阻和接触电阻，所述等效串联电阻包括金属连接件的等效串联电阻、喷金层等效串联电阻、蒸镀电极的等效串联电阻和介质层的等效串联电阻，所述接触电阻为金属连接件的接触电阻；将多芯体并联金属化膜电容器的三维模型加载至电场分析求解器中，计算求解金属连接件和喷金层的发热功率。并利用电路分析计算获得介质层部分的发热功率和蒸镀电极的发热功率。将多芯体并联金属化膜电容器的三维模型加载至瞬态热分析模块中，导入电场分析模块计算的金属连接件和喷金层的发热功率，在芯体上加载介质层的发热功率，在同心圆柱面上交替加载蒸镀电极发热功率，计算电容器内部的温度场分布。
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公开(公告)号：CN118522571A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410496544.5
申请日：2024-04-24
Applicant: 安徽赛福电子有限公司
Abstract: 本申请公开了氮掺杂石墨烯包裹碳纳米花和碳化钼量子复合材料及其制备方法，氮掺杂石墨烯包裹碳纳米花和碳化钼量子复合材料以碳纳米花为基底表面锚定α‑MoC，所述α‑MoC在碳材料的限域作用下呈纳米尺寸的量子点，氮掺杂石墨烯包裹于外部，所述α‑MoC量子点通过双重碳结构的包裹建立多维度的电子和离子传输路径。
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公开(公告)号：CN117187753A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310614039.1
申请日：2023-10-18
Applicant: 安徽赛福电子有限公司
IPC: C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/06 , C04B35/58 , C04B35/583 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/87
Abstract: 本申请公开了一种蒸镀金属化聚丙烯铜薄膜用蒸发舟及其制备方法，一方面，本申请提供一种蒸镀金属化聚丙烯铜薄膜用蒸发舟，包括蒸发舟基体1，所述蒸发舟基体1上开设有浅液槽3，所述蒸发舟基体1上开设有浅液槽3的一端覆盖有溅射层2；另一方面，本申请提供一种蒸镀金属化聚丙烯铜薄膜用蒸发舟的制备方法。本发明中，通过溅射镀膜法对二硼化钛进行击打，使其在具蒸发舟基体1表面形成具有保护效果的溅射层2，利用二硼化钛高熔点的特性，能够使蒸发舟基体1达到2400℃以上，从而达到蒸镀条件，同时二硼化钛的具有抗氧化性，不易失去电子，可抗熔融金属的腐蚀，因此，在蒸镀时不易被铜溶液腐蚀，以此实现连续蒸镀。
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