公开(公告)号：CN115663138A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211340300.5

申请日：2022-10-28

Applicant: 安徽科技学院

Inventor： 杨秋云 ,  王娜 ,  樊晓宇 ,  谢珂 ,  吕成云 ,  陈圆 ,  刘梓宁 ,  张岚

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/587

Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂碳膜包裹的一氧化锰纳米线锂电材料及其制备方法，其步骤为：首先利用水热合成方式制备二氧化锰纳米线前驱体；然后将二氧化锰纳米线前驱体与盐酸多巴胺混合在滴加氨水的水与乙醇溶液中，并持续磁力搅拌，制备出聚多巴胺膜包裹的二氧化锰纳米线；最后将聚多巴胺膜包裹的二氧化锰纳米线在惰性气氛下退火，即获得目标产物N掺杂C膜包裹的一氧化锰纳米线(N‑C@MnO)。本发明的制备方法简单成熟、成本低、可量产，且所得材料化学稳定性好、速率性能高、循环稳定性和库伦效率优异。

公开(公告)号：CN117438364A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311406463.3

申请日：2023-10-27

Applicant: 安徽科技学院

Inventor： 杨秋云 ,  王娜 ,  夏显明 ,  国海 ,  樊晓宇 ,  郭明磊 ,  刘念 ,  左绪忠

IPC: H01L21/683 ,  C01G39/06 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明公开了一种高效转移生长在衬底上的二维材料的方法，其步骤为：首先在生长于衬底上的二维材料表面旋涂PMMA并烘干，然后将衬底进行超声处理，取出后再次旋涂一层PMMA，然后再旋涂PS溶液或PC溶液，形成二维材料‑PMMA层‑PS或PC层的复合膜；然后将衬底放入超纯水中，复合膜从衬底上剥离；通过目标衬底将复合膜承载起来，再用甲苯溶解PS或用氯仿溶解PC、用丙酮溶解PMMA，即完成转移。本发明的方法技术成熟、成本低、转移效率高，且转移后材料稳定、无损毁，该方法适用于生长在云母、蓝宝石和SiO2/Si等衬底上的多种二维材料的转移。