公开(公告)号：CN112760618B

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202011536917.5

申请日：2020-12-23

Applicant: 安徽建筑大学

Inventor： 万小康 ,  许运博 ,  王献云

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明属于光电极领域，具体涉及一种钒酸铋光电极的改性方法，在钒酸铋光电极表面原子层沉积氧化铝后，再将所述氧化铝去除，得到钝化后的钒酸铋光电极即为改性后的钒酸铋光电极。采用上述方案，通过在BiVO4光电极表面沉积Al2O3氧化层，再进一步经过化学溶液处理去除氧化层，获得了表面钝化的BiVO4薄膜光电极。表面钝化后，光生电子空穴对不再倾向于在表面态处复合，从而起到了抑制载流子复合的作用，因而载流子寿命增加，促进了表面催化反应的进行，提高了光电化学效率。

公开(公告)号：CN112760618A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011536917.5

申请日：2020-12-23

Applicant: 安徽建筑大学

Inventor： 万小康 ,  许运博 ,  王献云

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明属于光电极领域，具体涉及一种钒酸铋光电极的改性方法，在钒酸铋光电极表面原子层沉积氧化铝后，再将所述氧化铝去除，得到钝化后的钒酸铋光电极即为改性后的钒酸铋光电极。采用上述方案，通过在BiVO4光电极表面沉积Al2O3氧化层，再进一步经过化学溶液处理去除氧化层，获得了表面钝化的BiVO4薄膜光电极。表面钝化后，光生电子空穴对不再倾向于在表面态处复合，从而起到了抑制载流子复合的作用，因而载流子寿命增加，促进了表面催化反应的进行，提高了光电化学效率。