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公开(公告)号：CN118390054A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410487900.7
申请日：2024-04-23
Applicant: 安徽建筑大学
IPC: C23F1/02
Abstract: 本发明公开了一种加工掩模板的蚀刻液处理方法，属于蚀刻液处理领域，包括以下步骤：预处理：清洗掩模板表面，去除表面杂质和油脂，在一定温度下将掩模板放入预处理液中，进行表面活化处理，以增强掩模板表面的亲液性，提高蚀刻液的附着性；蚀刻：将掩模板浸泡在蚀刻液中，在一定温度和压力下进行蚀刻处理，通过化学反应去除不需要的材质；清洗：先用清水清洗，再用清洗剂去除残留的蚀刻液和杂质；干燥：使掩模板表面干燥，以便后续处理。本发明通过预处理将掩模板表面的清理，和在蚀刻时对温度和压力的控制，再辅以化学试剂的作用，从而有效的保证了对掩模板的蚀刻效果，避免了在蚀刻后，其表面较为粗糙的情况出现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115896881A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211441268.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 安徽建筑大学
Abstract: 本发明公开了可防止偏移的半导体晶圆片及其预处理方法和电镀系统，属于半导体领域，包括以下步骤：S1、配置预处理液，并将预处理液连接喷洒模块，利用喷洒模块喷出；S2、将半导体晶圆片放置在装置内部，利用夹持模块进行夹持；S3、将装置整体放置在预处理液内部，利用转动部件对装置整体进行转动；S4、将装置整体从预处理液取出，并将装置整体倒置，利用喷洒模块对半导体晶圆片底部进行预处理；S5、烘干部件对半导体晶圆片进行烘干，随后利用电镀模块进行电镀处理。本申请通过采用在对半导体晶圆片进行加工之前进行充分的预处理，保证半导体晶圆片的外表没有浮尘或者杂质，保证半导体晶圆片的正常使用。
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公开(公告)号：CN115672109A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211441814.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 安徽建筑大学
IPC: B01F27/90 , B01F27/808 , B01F33/453 , B01F35/93
Abstract: 本发明公开了一种超低温电容器用电解液制备工艺及装置，涉及一种电解液技术领域，包括以下步骤：S1、将碳酸丙烯酯、碳酸二乙酯、甲醇和丙三醇倾倒在加热装置上，充分预热后到达搅拌装置内部；S2、利用搅拌器对搅拌装置内部的成分进行搅拌，搅拌温度保持40‑60摄氏度；S3、将四氟硼酸锂经过加热装置到达搅拌装置内部，利用磁力搅拌器进行二次搅拌，搅拌温度保持70‑90摄氏度；S4、将四氟硼酸四乙基铵经过加热装置到达搅拌装置内部，利用磁力搅拌器进行三次搅拌，搅拌温度保持95‑100摄氏度；S5、对生成的成品进行取样检测；S6、对生成的成品倾倒进入磁性搅拌器内部进行进一步的搅拌混合。
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公开(公告)号：CN118204308A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410537561.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 安徽建筑大学
Abstract: 本发明属于清洗剂处理技术领域，尤其为一种掩模板清洗剂处理循环系统，包括处理箱和盖板，所述盖板设置在处理箱的上端口处，所述处理箱的两端分别贯通安装有清洁剂进口和清洁剂出口，所述处理箱的内侧壁竖向连接有U型槽杆，所述盖板的表面开设有插接通槽，所述处理箱的内部通过U型槽杆和插接通槽滑插有插接框，所述插接框的内壁安装有过滤纸，所述过滤纸的顶端固定连接有第一固定板，所述插接通槽的内底壁开设有搭放槽，所述盖板通过搭放槽设置有清洁部件；本发明通过开设插接通槽，使得第一固定板带动插接框和过滤纸能够进行更好的插设，这样就可以在后期通过拉动把手进行上拉来实现整体的拆离，从而方便了对其清理和更换。
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公开(公告)号：CN115672109B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211441814.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 安徽建筑大学
IPC: B01F27/90 , B01F27/808 , B01F33/453 , B01F35/93
Abstract: 本发明公开了一种超低温电容器用电解液制备工艺及装置，涉及一种电解液技术领域，包括以下步骤：S1、将碳酸丙烯酯、碳酸二乙酯、甲醇和丙三醇倾倒在加热装置上，充分预热后到达搅拌装置内部；S2、利用搅拌器对搅拌装置内部的成分进行搅拌，搅拌温度保持40‑60摄氏度；S3、将四氟硼酸锂经过加热装置到达搅拌装置内部，利用磁力搅拌器进行二次搅拌，搅拌温度保持70‑90摄氏度；S4、将四氟硼酸四乙基铵经过加热装置到达搅拌装置内部，利用磁力搅拌器进行三次搅拌，搅拌温度保持95‑100摄氏度；S5、对生成的成品进行取样检测；S6、对生成的成品倾倒进入磁性搅拌器内部进行进一步的搅拌混合。
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公开(公告)号：CN115896881B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211441268.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 安徽建筑大学
Abstract: 本发明公开了可防止偏移的半导体晶圆片电镀系统，属于半导体领域，包括以下步骤：S1、配置预处理液，并将预处理液连接喷洒模块，利用喷洒模块喷出；S2、将半导体晶圆片放置在处理装置内部，利用夹持模块进行夹持；S3、将处理装置整体放置在预处理液内部，利用转动部件对处理装置整体进行转动；S4、将处理装置整体从预处理液取出，并将处理装置整体倒置，利用喷洒模块对半导体晶圆片底部进行预处理；S5、烘干部件对半导体晶圆片进行烘干，随后利用电镀模块进行电镀处理。本申请通过采用在对半导体晶圆片进行加工之前进行充分的预处理，保证半导体晶圆片的外表没有浮尘或者杂质，保证半导体晶圆片的正常使用。
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