一种SnS2/PANI纳米片阵列光阳极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN116856002A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310742426.3

    申请日:2023-06-21

    Abstract: 本发明公开了一种SnS2/PANI纳米片阵列光阳极材料的制备方法,属于光电催化技术技术领域,将SnS2纳米片阵列放入电沉积液中,采用光电化学沉积技术在SnS2纳米片阵列上电沉积聚苯胺薄层,电沉积过程结束后,所得的样品用蒸馏水和无水乙醇洗涤,干燥即可得到SnS2/PANI纳米片阵列光阳极材料;构建SnS2/PANI纳米片阵列光阳极材料可以促进光生电子空穴分离、抑制SnS2光腐蚀和吸附水分子等,从而提高光电催化分解水性能。

    一种装配式建筑顶棚
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118704682A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202411196833.X

    申请日:2024-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种装配式建筑顶棚,涉及顶棚构造技术领域,包括V型顶棚主体,还包括固定安装单元,包括设在建筑主体上的定位机构和设在侧板上的卡固机构;校准单元,包括设置在所述V型顶盖内侧的校准机构和设置在所述校准机构上的锁固机构,本发明通过在侧板上固定安装单元的设置以及V型顶盖上校准单元的设置可实现V型顶盖以及侧板的快速安装,且在吊装过程中实现V型顶盖的定位,并在V型顶盖完成吊装后形成三角固定结构的自锁固定,从而解决V型顶棚主体在安装时校准定位困难以及在V型顶棚主体在定位架设后固定困难的问题。

    一种装配式建筑顶棚
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN118704682B

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411196833.X

    申请日:2024-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种装配式建筑顶棚,涉及顶棚构造技术领域,包括V型顶棚主体,还包括固定安装单元,包括设在建筑主体上的定位机构和设在侧板上的卡固机构;校准单元,包括设置在所述V型顶盖内侧的校准机构和设置在所述校准机构上的锁固机构,本发明通过在侧板上固定安装单元的设置以及V型顶盖上校准单元的设置可实现V型顶盖以及侧板的快速安装,且在吊装过程中实现V型顶盖的定位,并在V型顶盖完成吊装后形成三角固定结构的自锁固定,从而解决V型顶棚主体在安装时校准定位困难以及在V型顶棚主体在定位架设后固定困难的问题。

    一种SnS2基光阳极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116657178A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310435408.0

    申请日:2023-04-21

    Abstract: 本发明公开了一种SnS2基光阳极材料及其制备方法,属于光阳极材料技术领域,包括如下制备步骤:通过苯胺单体与氧化剂溶液合成PANI;向无水乙醇中加入五水合硫酸铜,超声分散,加入PANI并持续搅拌,干燥,得粉末;将粉末研磨后热解,得Cu‑N‑C;将无水合四氯化锡、硫代乙酰胺、Cu‑N‑C加入乙酸溶液中,搅拌,转移至聚四氟乙烯反应釜中反应,自然冷却,离心去上清,洗涤,干燥,得SnS2基光阳极材料。本发明通过在SnS2和N‑C骨架之间构建N‑Cu‑S化学键形成强界面接触,提高了光电转化效率,其效率可达1.32%;采用Sn盐以及碳材料作为原料、水热合成作为主要合成方法,降低了生产成本及合成难度。

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