公开(公告)号：CN115323361A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210821195.0

申请日：2022-07-12

Applicant: 安徽建筑大学

Inventor： 徐海燕 ,  李飞 ,  何杨 ,  李栋才 ,  王爱国 ,  孙道胜

IPC: C23C18/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G31/02

Abstract: 本发明公开了一种可相变的纳米片状VO2薄膜的制备方法，采用低温液相沉积法合并氮气气氛热处理制备纳米片状VO2薄膜，其技术特征如下：以一定的摩尔比配制硫酸氧钒和乳酸的混合溶液，于室温下搅拌使其充分络合，使用氨水调节络合溶液的pH值在3.2~4.4范围，之后放入表面洁净的玻璃等基板，沉积反应温度控制在60℃~90℃范围，沉积反应一定时间后即获得的纳米片状前驱体薄膜；所得前驱体薄膜在一定氮气流速下，于一定温度下退火后即得纳米片状VO2薄膜。本发明提供了一种反应温度低、基底要求低、能耗低、可大面积成膜的纳米片状VO2薄膜制备方法。

公开(公告)号：CN115323361B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202210821195.0

申请日：2022-07-12

Applicant: 安徽建筑大学

Inventor： 徐海燕 ,  李飞 ,  何杨 ,  李栋才 ,  王爱国 ,  孙道胜

IPC: C23C18/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G31/02

Abstract: 本发明公开了一种可相变的纳米片状VO2薄膜的制备方法，采用低温液相沉积法合并氮气气氛热处理制备纳米片状VO2薄膜，其技术特征如下：以一定的摩尔比配制硫酸氧钒和乳酸的混合溶液，于室温下搅拌使其充分络合，使用氨水调节络合溶液的pH值在3.2~4.4范围，之后放入表面洁净的玻璃等基板，沉积反应温度控制在60℃~90℃范围，沉积反应一定时间后即获得的纳米片状前驱体薄膜；所得前驱体薄膜在一定氮气流速下，于一定温度下退火后即得纳米片状VO2薄膜。本发明提供了一种反应温度低、基底要求低、能耗低、可大面积成膜的纳米片状VO2薄膜制备方法。