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公开(公告)号：CN116288684A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310237134.4
申请日：2023-03-13
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种制备二维氮化镓膜的方法，属于氮化镓材料技术领域，将液态金属镓转移至铜箔表面，利用管式炉并且在混合气体和900℃的条件下保温10h，得到铜镓合金；利用铜镓合金并采用化学气相沉积法制备二维氮化镓/铜箔复合体；利用PMMA转移法或鼓泡转移法将二维氮化镓/铜箔复合体中的二维氮化镓转移到载体片上，得到二维氮化镓膜；通过化学气相沉积法的表面限制硝化反应实现二维氮化镓的生长，该方法制备的二维氮化镓不需要外延的二维材料来限制三维结构的生长，所获得的二维氮化镓膜能够直接转移，并且获得的二维氮化镓膜更薄；该制备方法成本低，制备的二维氮化镓膜的结构稳定，为开发新型高效光电半导体提供新策略。
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