公开(公告)号：CN108493409B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201810199334.4

申请日：2018-03-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 陈鹏鹏 ,  孙奇轩 ,  周艺峰 ,  聂王焰 ,  徐颖 ,  陆影

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/583 ,  H01M4/62 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂碳包覆花状纳米二硫化钼的制备方法，其是通过钼酸钠与硫脲水热反应生成花状二硫化钼，并在水热过程中利用聚乙烯亚胺包覆二硫化钼，最后再经高温煅烧处理，即得到氮掺杂碳包覆花状纳米二硫化钼复合材料。本发明改善了花状纳米二硫化钼的形貌结构，增大了其比表面积，并在其表面包覆了一层氮掺杂的碳，改善了二硫化钼的电化学性能。

公开(公告)号：CN108493409A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810199334.4

申请日：2018-03-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 陈鹏鹏 ,  孙奇轩 ,  周艺峰 ,  聂王焰 ,  徐颖 ,  陆影

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/583 ,  H01M4/62 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂碳包覆花状纳米二硫化钼的制备方法，其是通过钼酸钠与硫脲水热反应生成花状二硫化钼，并在水热过程中利用聚乙烯亚胺包覆二硫化钼，最后再经高温煅烧处理，即得到氮掺杂碳包覆花状纳米二硫化钼复合材料。本发明改善了花状纳米二硫化钼的形貌结构，增大了其比表面积，并在其表面包覆了一层氮掺杂的碳，改善了二硫化钼的电化学性能。