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公开(公告)号：CN119980141A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411891213.8
申请日：2024-12-20
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种增强超薄钴酸镍薄膜的居里温度的方法，涉及新型功能材料加工技术领域，包括以下步骤：S1、通过陶瓷烧结工艺制备NiCo2O4靶材和Co3O4靶材；S2、通过磁控溅射的方法在MgAl2O4(001)单晶衬底上沉积NiCo2O4/Co3O4薄膜；S3、测量生长的NiCo2O4/Co3O4薄膜的反常霍尔效应；其技术要点为：能够克服传统氧化物硬磁材料的局限性，通过采用射频磁控溅射的制备工艺，采用NiCo2O4和Co3O4靶材，制备出NiCo2O4/Co3O4薄膜，所得薄膜具有380K的居里温度，并且具有优秀的导电性，具有良好的使用前景。
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