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公开(公告)号：CN116096100A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211578366.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯量子点掺杂铟镓氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：S1、将氧化锆前驱体溶液旋涂在P型重掺硅衬底表面，烘干后，先经过UV处理，然后退火处理，形成氧化锆栅介质层；S2、在所述氧化锆栅介质层表面旋涂含石墨烯量子点的铟镓氧化物前驱体溶液，烘干后，退火处理，形成石墨烯量子点‑铟镓氧化物有源层；S3、利用掩模版在所述石墨烯量子点‑铟镓氧化物有源层表面蒸镀制备源电极和漏电极，即得。本发明采用石墨烯量子点掺杂铟镓氧化物作为沟道层的方法，可以有效弥补铟镓氧化物在光照稳定性上的缺陷，改善晶体管器件的性能，呈现出更优异的光照稳定性，为其在光电传感器内的应用提供便利。
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