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公开(公告)号：CN1666861A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510038675.6
申请日：2005-04-01
Applicant: 安徽大学
IPC: B32B3/12
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数多孔氧化硅薄膜，该薄膜含有分布均匀的纳米微孔。该薄膜的制备方法是：用三烷氧基硅烷有机物(RSi(OR’)3)通过水解—缩合反应生成含有笼型结构的多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)分子的溶胶；将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜；将上述薄膜在空气或惰性气体保护下加热固化、烧结即得低介电常数多孔氧化硅薄膜，烧结温度为300－600℃，升温速率为2－5℃每分钟。本发明的多孔氧化硅薄膜：介电常数低，纳米微孔分布均匀，微孔大小均匀、尺寸可调，薄膜与硅片的粘附性好，结合紧密，耐热性、热稳定性好。
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