公开(公告)号：CN118147758A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410110352.6

申请日：2024-01-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王国鹏 ,  胡荣 ,  田明亮 ,  熊奕敏 ,  胡涛

IPC: C30B29/46 ,  C30B28/02 ,  C30B23/00 ,  H01F1/00 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种范德瓦尔斯反铁磁金属单晶及其制备方法，包括：将Fe粉、Co粉、Ge粉和Te粉按配方比混匀后密封装入容器内，并于加热设备中生长得到预烧晶体；将预烧晶体粉碎成粉末后与配方量输运剂混匀并一起密封装入容器内，再于加热设备中生长得到分子式为Fe3Co2GeTe2的范德瓦尔斯反铁磁金属单晶。该制备方法新颖合理、简单可行，从该范德瓦尔斯反铁磁金属单晶上机械剥离得到的单晶薄层具有于第一厚度范围内呈现出铁磁性、于第二厚度范围内呈现出铁磁性与反铁磁性共存的性质，且在单晶薄层呈现出铁磁性时的铁磁居里温度及呈现出反铁磁性时的反铁磁奈尔温度均高于室温。即，该范德瓦尔斯反铁磁金属单晶具有高于室温的奈尔温度和优越的巡游反铁磁性。