公开(公告)号：CN119098580A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411214269.X

申请日：2024-08-31

Applicant: 安徽大学

Inventor： 张惠 ,  朱畅 ,  李坤振 ,  赵艺萌 ,  孙锡妹 ,  杨羽鹏 ,  卢磊磊

IPC: B22F1/054 ,  B22F9/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/24

Abstract: 本发明提供MOF衍生的高熵氮化物纳米片阵列的制备方法，涉及能量储存材料的技术领域，包括以下步骤：S1、将钴源及PVP粉末溶解得到预处理溶液；S2、提供泡沫镍基底，清洗干净后干燥处理；S3、将泡沫镍基底放入预处理溶液中浸泡；S4、加入二甲基咪唑溶液制备MOF前驱体；S5、提供镍源制备Ni‑Co‑LDH；S6、提供铜源、锌源、锰源，制备NiCoCuZnMn‑LDH；S7、退火处理制备MOF衍生的高熵氮化物纳米片阵列。本发明所制备的生长在泡沫镍基底上的MOF衍生的高熵氮化物三维纳米片阵列在作为超级电容器电极时，无需粘结剂和导电剂，有效降低了界面间的电阻，提高了活性物质的利用率，表现出优异的循环稳定性、优异的倍率性能等电化学性能。