-
公开(公告)号：CN115346587A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211028648.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C16/22
Abstract: 本发明公开了一种抗功耗分析攻击单元，其由一类第一MOS管、一类第二MOS管、一类第三MOS管、一类第四MOS管、一类第五MOS管、二类第一MOS管、二类第二MOS管、二类第三MOS管、二类第四MOS管构成。本发明的抗功耗分析攻击单元能够使得单元功耗与读出的数据无关，继承了传统单元在读操作时对抗功耗攻击的天然优势，保持了功耗与读出数据的低相关性，而且能够达到数据翻转和数据保持时的功耗平衡，并且由于在写操作开始阶段存储点数据刷新，无论第一存储点初始储存的数据是什么，都可以保证功耗的一致性，并且综合看存储点读、写任何数据时都只消耗单个位线的能量，因此存储点总体功耗也较低。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
