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公开(公告)号：CN114534751B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202210042946.9
申请日：2022-01-14
Applicant: 安徽大学
IPC: B01J27/057 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种火柴形MoSe2‑MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂及制备方法和用途。MoSe2‑MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂整体呈火柴形，其中火柴棒部分为CdS纳米棒，火柴头部分为MoSe2‑MoS2纳米花，MoSe2‑MoS2纳米花的粒径为100‑400nm，CdS纳米棒长度1‑4μm。其制备方法包括以下步骤：在乙二胺溶液中，依次加入硫代乙酰胺和二水乙酸镉，经过水热反应得到CdS纳米棒；再依次将硒粉，钼酸钠分散到二乙烯三胺中，经过二次水热反应得到火柴形MoSe2‑MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂。本发明通过将MoSe2‑MoS2负载在CdS纳米棒尖端，能有效的分离光生电子和空穴，提高光催化活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114392755B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210041934.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体公开了一种哑铃状三元过渡金属硫化物材料及其制备方法和用途。MoS2纳米花负载于CdS纳米棒的两尖端，呈哑铃形状；Cu2S纳米颗粒修饰在CdS纳米棒上，在壁上形成核壳结构。其中，所述CdS纳米棒的长度为1‑3μm，直径为10‑100nm，MoS2纳米花的粒径为200‑500nm，Cu2S纳米颗粒的粒径为2‑10nm。材料制备方法为：首先通过水热反应合成CdS纳米棒；然后利用二次水热反应，将MoS2负载至CdS纳米棒两尖端，离心，洗涤，干燥，得到MoS2‑CdS纳米复合材料；最后通过一步原位光诱导的阳离子交换法将Cu2S纳米颗粒选择性修饰到MoS2‑CdS纳米棒的侧壁上，即制得目的产物。该产品具有较高的光催化制氢活性，极易于广泛地应用于商业化制氢领域。
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公开(公告)号：CN115779934B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202211355948.X
申请日：2022-11-01
Applicant: 安徽大学
IPC: B01J27/051 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种高效光催化材料，所述材料为MoS2/Cd0.8Mn0.2S纳米棒复合材料，呈蘑菇状；其中，MoS2纳米花位于Cd0.8Mn0.2S固溶体纳米棒的一尖端；MoS2与Cd0.8Mn0.2S的摩尔百分比为10‑35％；其制备方法包括：将Cd0.8Mn0.2S固溶体、二水钼酸钠、硫代乙酰胺按比例加入溶剂中，经溶剂热法制备得到；所述溶剂包括：水、二乙烯三胺。本发明所述光催化材料具有较高的光催化制氢活性，极易于广泛地应用于商业化制氢领域。
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公开(公告)号：CN114534751A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210042946.9
申请日：2022-01-14
Applicant: 安徽大学
IPC: B01J27/057 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种火柴形MoSe2‑MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂及制备方法和用途。MoSe2‑MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂整体呈火柴形，其中火柴棒部分为CdS纳米棒，火柴头部分为MoSe2‑MoS2纳米花，MoSe2‑MoS2纳米花的粒径为100‑400nm，CdS纳米棒长度1‑4μm。其制备方法包括以下步骤：在乙二胺溶液中，依次加入硫代乙酰胺和二水乙酸镉，经过水热反应得到CdS纳米棒；再依次将硒粉，钼酸钠分散到二乙烯三胺中，经过二次水热反应得到火柴形MoSe2‑MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂。本发明通过将MoSe2‑MoS2负载在CdS纳米棒尖端，能有效的分离光生电子和空穴，提高光催化活性。
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公开(公告)号：CN115779934A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211355948.X
申请日：2022-11-01
Applicant: 安徽大学
IPC: B01J27/051 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种高效光催化材料，所述材料为MoS2/Cd0.8Mn0.2S纳米棒复合材料，呈蘑菇状；其中，MoS2纳米花位于Cd0.8Mn0.2S固溶体纳米棒的一尖端；MoS2与Cd0.8Mn0.2S的摩尔百分比为10‑35％；其制备方法包括：将Cd0.8Mn0.2S固溶体、二水钼酸钠、硫代乙酰胺按比例加入溶剂中，经溶剂热法制备得到；所述溶剂包括：水、二乙烯三胺。本发明所述光催化材料具有较高的光催化制氢活性，极易于广泛地应用于商业化制氢领域。
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公开(公告)号：CN114392755A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210041934.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 安徽大学
IPC: B01J27/051 , B01J35/10 , B01J37/30 , B01J37/10 , C01B3/04
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体公开了一种哑铃状三元过渡金属硫化物材料及其制备方法和用途。MoS2纳米花负载于CdS纳米棒的两尖端，呈哑铃形状；Cu2S纳米颗粒修饰在CdS纳米棒上，在壁上形成核壳结构。其中，所述CdS纳米棒的长度为1‑3μm，直径为10‑100nm，MoS2纳米花的粒径为200‑500nm，Cu2S纳米颗粒的粒径为2‑10nm。材料制备方法为：首先通过水热反应合成CdS纳米棒；然后利用二次水热反应，将MoS2负载至CdS纳米棒两尖端，离心，洗涤，干燥，得到MoS2‑CdS纳米复合材料；最后通过一步原位光诱导的阳离子交换法将Cu2S纳米颗粒选择性修饰到MoS2‑CdS纳米棒的侧壁上，即制得目的产物。该产品具有较高的光催化制氢活性，极易于广泛地应用于商业化制氢领域。
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