公开(公告)号：CN120051198A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510231391.6

申请日：2025-02-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 高文帅 ,  王浩 ,  田明亮 ,  朱安康 ,  刘学

IPC: H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/85 ,  H10N52/01 ,  G01B7/30

Abstract: 本发明属于磁传感器技术领域，公开了基于巨大各向异性电导效应的角度传感器件及其制备方法，该角度传感器由衬底、铋化钯纳米片、霍尔条沟道结构、金膜金属电极和六方‑氮化硼组合而成；该角度传感器的制备方法包括S1、清洁硅/氧化硅衬底；S2、将铋化钯纳米片粘合于衬底表面；S3、在铋化钯纳米片上制造霍尔条沟道结构；S4、在霍尔条沟道结构上蒸镀金膜金属电极；S5、使用六方‑氮化硼对铋化钯纳米片、霍尔条沟道结构和金膜金属电极进行覆盖封装；本发明解决了现有角度传感器在低温强磁场下灵敏度低、稳定性差、精度不足、测量误差大，以及尺寸大不利于设备小型化与集成化的问题。