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发明公开
基于CrPS4偏振敏感的光电探测器的制备方法无效

公开(公告)号：CN113130704A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110373669.5

申请日：2021-04-07

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李亮 , 张翰林 , 陈利杰

IPC: H01L31/18 , H01L31/032

Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，具体为基于CrPS4偏振敏感的光电探测器的制备方法，具体包括以下步骤：(1)制备CrPS4单晶；(2)制备硅片衬底；(3)解离CrPS4并转移至硅片衬底上；(4)制备预处理硅片衬底；(5)制备电极图案；(6)制备电极样品；(7)将电极样品放入丙酮中浸泡，取出后加热，再利用胶头滴管对电极样品上方洗吹，待非电极区域的镀层全部剥离硅片衬底后取出，接着用氮气吹干，得到基于CrPS4偏振敏感的光电探测器；本发明利用CrPS4制备偏振敏感的光电探测器的电路及结构设计简单，克服传统光电探测器无法对区分偏振光偏振角度、或偏振光探测比率低、器件不稳定，测试手段复杂等缺点。

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